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基于本征高迁移率、无能隙光谱以及非特征频率吸收的特性,石墨烯在太赫兹频段的调制器和探测器应用被予以厚望。制备了碟形天线耦合的CVD石墨烯场效应晶体管太赫兹探测器,实现了室温的高灵敏太赫兹探测。采用Au膜辅助转移技术屏蔽了有机物对石墨烯的沾污,配合自对准工艺控制了栅源间寄生效应,石墨烯器件场效应迁移率达7000 cm^(2)/(V·s),且在室温下表现出较高的太赫兹探测灵敏度,0.3 THz频率下器件的电压响应率为50 V/W,噪声等效功率为58 pW/Hz0.5。 相似文献
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陶然吴云曹正义王东辰李冠宇李忠辉 《固体电子学研究与进展》2022,(6):F0003-F0003
针对石墨烯光电探测器的感光增强、光生载流子分离等技术难点,南京电子器件研究所结合前期石墨烯器件和电路的研制经验,建立了一套低损伤、高扩展性的短间距曲折沟道与异种电极一体化的制备工艺。有效降低了石墨烯的欧姆接触电阻,并使石墨烯的光生载流子具有高漂移速度,促进其在短沟道中快速分离;同时基于石墨烯沟道与电极的图形结构设计,增强了石墨烯与光的相互作用;成功制备了一款60 GHz大带宽的光电探测器,显微照片如图1所示。该石墨烯光电探测器的工作电压小于0.3 V,对1550 nm光的实测响应度达到0.17 A/W,如图2(a)所示。通过矢量网络分析仪实测探测器的3 dB带宽均达60 GHz以上,当频率从10 MHz上升至60 GHz时,探测器的响应度仅下降2.18 dB,如图2(b)所示。此外,该探测器还具备硅光集成潜力,可为高速通讯应用奠定基础。 相似文献
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