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利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光,而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中,In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移,形成了中心高In组分的c面量子阱,而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱,此外,相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。 相似文献
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Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)∶poly(styrene-sulfonate)(PEDOT∶PSS)的性质对聚合物电池性能有很大影响,热处理不仅能提高其导电性,还能改善其形貌。将旋涂好的PEDOT∶PSS分别在真空条件以及氮气气氛下进行热处理,结果发现与真空下热处理相比,在氮气气氛下热处理的PEDOT∶PSS颗粒连接性较好,电导率较高,透过率也较高,旋涂活性层后薄膜粗糙度也较低。制备的电池与在真空条件下的比较,短路电流提高了约65%,填充因子提高了约22%,使得光电转换效率提高了约147%,达到0.37%。 相似文献
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温度起伏会对液晶器件的相位调制特性、响应速度有影响,从而影响自适应光学系统中的液晶波前校正器的相位调制精度。针对该问题,本文研究了温度对512×512像素的硅基液晶波前校正器(LCOS)的LUT(look-up table)的影响,正是由于LUT的变化导致其相位调制特性不同;实验测量了不同温度下LCOS的时间和相位响应特性,由此计算了对应的LUT,利用最小二乘拟合方法对得到的数据进行拟合,给出了16~26℃范围内的关系式,利用此关系式可以获得该温度范围内不同温度下合理的LUT。我们在LCOS上施加闪耀光栅灰度图后,对不同LUT下入射光束的衍射效率分别进行测量,结果表明我们利用关系式内对应温度下的LUT取代LCOS中固定值的LUT方法可以克服温度的起伏带来的影响,提高LCOS的相位调制能力。本方法对于液晶器件在自适应光学、显示等领域的应用也有帮助。 相似文献
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以定量分析的方法,对《安徽工学院学报》1981~1991年所刊载的论文,从学科、作者和引文绪方面进行了分项统计和扼要分析,从而揭示了《安徽工学院学报》在10年办刊中自然形成的特点和存在不足之处,并提出相应的改进意见。 相似文献
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学报论文的规范化著录 总被引:1,自引:0,他引:1
针对科技论文的作者在撰写稿件中常易出现的错误,本文就论文的标题、署名、摘要、关键词及参考文献的著录要点,按照国家对科学技术期刊编排规则的要求,逐项进行了论述和举例。为提高学报的编辑质量,促进国内外学术交流,增强论文作者的规范化、标准化意识,提供了一定的借鉴和参考价值。 相似文献
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朱华新 《安徽建筑工业学院学报》2005,13(3):83-86
针对我国著作权法实施以来,高等院校学报作者在署名权、发表权上存在的种种违法侵权现象,以《合肥工业大学学报》论文作者群为例,从文献计量学研究入手,统计分析了研究生论文的署名排序、多作者合著论文的署名及少数作者滥用发表权、重复发表论文的现象,指出其弊端以及预防、改进的措施。 相似文献