具有低暗电流的全金属化耦合封装InGaAs/InP平面PIN光电二极管

本文报导了一种具有先进结构的InGaAs/InP平面PIN光电二极管。该器件的响应度最高可达0.95μA/μW,结电容一般小于1pF,暗电流在室温-5V下最低为0.02nA。     

高效快速的硅雪崩光电二极管

本文报导了高效,快速的保护环硅雪崩光电二极管(GAPD)和拉通型雪崩光电二极管(RAPD)。为使 GAPD 消除光电流中的扩散慢分量,在理论上分析和计算了零场区对它的影响。通过单晶片背面蚀洞减薄,并在背面作硼扩散构成内建场,以便在不增加工作电压的情况下,实现快速响应和高量子效率。并介绍了在中阻硅单晶片上,用离子注入制作高场区,用上述减薄方法制造了 RAPD。两种实验器件所获得的性能如下:GAPD—击穿电压为105～120V;对锁模 Nd:YAG 激光脉冲,输出脉冲半宽度τ=500ps,前沿为450ps,后沿为750ps,在λ=0.9μm 下,量子效率η≥30%。而 RAPD—击穿电压为120～180V,对锁模 Nd:YAG 激光脉冲,输出脉冲半宽度τ=450ps,前沿和后沿均为450ps,在λ=0.9μm 下,量子效率η≥60%。     

拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)

本文报导了具有高效、快速、低噪声性能的拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)。在p-si单晶片上用硼离子注入和热扩散推进技术制作了高场区。在芯片背面蚀腔减薄后作硼扩散,其杂质梯度感生内建场。这样,在不增加工作电压的情况下,实现高的量子效率和快速响应特性。器件所达到的性能如下:在λ=0.86um下,量子效率可高达80％;在锁模Nd:YAG激光脉冲,其输出脉冲的前沿后沿为420PS,峰值半宽度τ为420PS;击穿电压为70～180V;过剩噪声因子x低达0.3,电容为1pf。     

消除高速PIN硅光电二极管中扩散电流的研究

一、前言通常的 PIN 硅光电二极管,由于以扩散速度运动的光生载流子响应时间的延迟,给各种高速应用带来影响。我们所研制的响应速度小于1毫微秒的0.9微米 PIN 硅光电二极管,设计了环状复合管的新结构,将横向扩散电流分离出来加以旁路,并使用高阻单晶薄片的双扩散工艺,从而最大限度地消除了纵向扩散电流的影响,使器件获得了快速、高效和低噪声等优良特性,因而在各种应用中,特别是在高精度近红外激光相位测距中,收到     

低噪声高速InGaAs／InP—SAGM—APD

介绍一种用于远程、大量容、长波长光纤通信系统的较理想的光电探测器——InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD 的优化设计、制造及其特性。