Si-APD单光子探测器的全主动抑制技术

为了缩短单光子探测器工作的死时间，提高单光子计数率，在分析单光子探测器被动抑制工作模式的基础上，针对硅雪崩光电二极管的工作特点，实验设计了精密快速的抑制电路，用以控制探测器的雪崩淬灭和电压恢复，实施了主动淬灭与快恢复相结合的全主动抑制技术。结果表明，该技术使探测器工作在更加安全高效的全主动抑制模式下，最后实验测得探测器总的死时间由原被动抑制模式下大于2μs缩短至120ns，单光子计数率由被动模式下低于1MHz上升到8MHz以上，从而达到了提高计数率的目的，满足一些单光子高效检测和计数的需要。