LED外延片上芯片静电击穿的测试分析

利用静电仪和HBM模型研究了GaN基LED外延片上芯片的抗静电性能,并根据pn结势垒电容的特性,对实验结果进行了分析.实验结果表明,缺陷击穿与外延片的工艺有着密切的关系;随着外延片上芯片尺寸的增大,其抗静电能力也随之增强.     

白光高压LED的加速老化实验研究

在120℃的环境温度下,对两组GaN基白光高压发光二极管（HV LED）进行了电流对比加速老化实验。实验中,分别向两组HV LED通入20mA和30mA的恒流电流,通过其老化前后光色电性能参数、I-V曲线以及光照度的变化,分析老化的内在机理;根据样品在不同波段的光谱能量变化及其比值,找出LED老化中主要的影响因素。研究结果表明,随着老化时间的增加,芯片电极的欧姆接触退化,以及芯片材料中的缺陷增多,使HV LED电极脱落、芯片发生严重断裂,从而导致芯片老化失效。     

LED受ESD冲击前后性能的变化分析

对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快。     

用MOCVD法在LiGaO2(001)上生长GaN的研究

LiGaO₂单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO₂(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO₂(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO₂在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.     

液晶电视用LED背光源的热特性与光色特性之间的关系

本文研究了温度对LED背光源的影响,发现温度高的地方,LED的亮度衰减较快,且红、绿、蓝三色LED亮度的衰减速度是不一致的,其中红光LED衰减最快,导致LED背光源的色度偏移,色温均匀性变差,严重影响背光源的颜色表现能力.此外,通过对直下式LED背光源的热分布与其亮度和色温变化情况的研究,发现温度较高的地方,亮度衰减得快,色温也上升得快;而侧光式LED背光源的光色分布主要受到导光板的影响,所以不能直观地观察到其与热分布的关联性.     

动态光源位置及照度控制系统的研制

为了加强对动态光源的控制,利用LabVIEW的比例-积分-微分(PID)控制方法,研制了动态光源的位置及照度控制系统。该系统通过控制电机改变光源的位置,采用LabVIEW的PID控制及参数自整定模块对输出电流进行控制,以改变动态光源的照度。研究表明,该系统可有效控制动态光源的位置及照度,在用于检测摄像机动态范围时,能有效提高检测效率及检测精度。     

功率型LED散热器的研究

分析了目前功率型LED发展存在的瓶颈问题,以及散热对LED器件正常工作的重要性.散热器的设计决定了功率型LED芯片产生的热量能否顺利传至工作环境,基于现有的文献和专利总结了大功率LED散热器的技术手段及其研究内容.从对流散热、辐射散热、热传导和相变散热等多个方面介绍了一些典型散热器在功率型LED散热中的应用,并提出了未来LED照明散热设计的方向.     

摄像机动态范围测试专用灯箱的研制——LED照明技术在专业测试设备中的应用

详细论述了在应用LED照明技术进行开发和研制摄像机动态范围测试灯箱过程中遇到的诸多技术问题，成功试制出摄像机动态范围测试专用灯箱设备，该设备在摄像机动态范围评测技术方面填补了相关领域国内空白，有广阔的市场前景，对摄像机及视频监控行业的技术发展有着深远的意义。     

NTC热敏电阻的溶胶-凝胶法工艺制备技术研究及其应用

本文对NTC热敏电阻材料的各种制备方法以及特点给予了评述，特别详细介绍了溶腔-凝胶方法在热敏电阻制备技术上的应用。并介绍了应用SEM（Scanning electron microscopy，SEM）与电阻测试等方法研究材料的晶粒大小、形貌特征及材料电阻的实验手段。从目前的大量工作表明溶胶-凝胶技术制备热敏电阻具有高效和实用开发价值。