一种低噪声、高电源抑制的低压降稳压器

实现了一种低噪声、高电源抑制(PSR)的低压降线性稳压器。设计了一个新型的低温度系数高电源抑制的带隙基准源,这个基准源可以为稳压电路提供参考电压。采用带有低通滤波器的预调制电路来降低稳压器的输出噪声和高频电源行波干扰。测试结果表明,该稳压器的线性调整率为0.57mV/V,负载调整率为0.1mV/mA,100kHz下的交流电源抑制为-60dB。在10Hz～1MHz频率范围内,仿真得到的总输出噪声只有4μVrmss。该稳压器采用上华CSMC0.6μm、5V混合信号CMOS工艺设计,有效芯片面积为600μm×560μm。     

一种低工艺敏感度,高PSRR带隙基准源

实现了一种高精度带隙基准源,该基准源在预调节电路中应用了电源行波减法技术,显著改善了输出电压的电源抑制比。提出了采用电流负反馈技术稳定预调节电路电流的方法,降低了带隙基准的温度特性和电源抑制比对阈值电压的敏感度。考虑晶体管阈值电压发生±20%变化的情况下,仿真得到的基准源的温度系数和电源抑制比变化分别只有0.11ppm和7dB。测试结果表明,该基准源在-20～100℃的范围内的有效温度系数为25.7ppm/℃,低频电源抑制比为-68dB。其功耗为0.5mW,采用中芯国际0.35μm5-V混合信号CMOS工艺实现,有效芯片面积为300μm×200μm。     

具有负反馈的分段曲率校正CMOS带隙基准源

提出了一种新型带有负反馈的分段曲率校正带隙电压基准源,该基准源的主要特色是利用温度相关的电阻比技术获得一个分段曲率校正电流,校正了一阶带隙基准源的非线性温度特性. 该分段线性电流产生电路还形成了一个负反馈,以改善带隙基准源的电源抑制和线性调整率. 测试结果表明：在2.6V电源电压下,该基准源在没有采用校正的条件下,在-50~125℃温度范围内实现了最大21.2ppm/℃温度系数,电源抑制比为-60dB. 在2.6~5.6V电源电压下的线性调整率为0.8mV/V. 采用中芯国际（SMIC) 0.35μm 5V n阱数字CMOS工艺成功实现,有效芯片面积0.04mm2,其总功耗为0.18mW. 该基准源应用于3, 5V兼容的光纤接收跨阻放大器.     

具有负反馈的分段曲率校正CMOS带隙基准源

提出了一种新型带有负反馈的分段曲率校正带隙电压基准源,该基准源的主要特色是利用温度相关的电阻比技术获得一个分段曲率校正电流,校正了一阶带隙基准源的非线性温度特性.该分段线性电流产生电路还形成了一个负反馈,以改善带隙基准源的电源抑制和线性调整率.测试结果表明:在2.6V电源电压下,该基准源在没有采用校正的条件下,在-50～125℃温度范围内实现了最大21.2ppm/℃温度系数,电源抑制比为-60dB.在2.6～5.6V电源电压下的线性调整率为0.8mV/V.采用中芯国际(SMIC)0.35μm5Vn阱数字CMOS工艺成功实现,有效芯片面积0.04mm2,其总功耗为0.18mW.该基准源应用于3,5V兼容的光纤接收跨阻放大器.     

一种工艺和温度自校正的环形振荡器

提出了一种具有工艺和温度自校正功能的环形振荡器。相较于传统的环形振荡器,该环形振荡器增加了温度校正模块和工艺校正模块。当工艺角变化为ss→tt→ff,工艺校正模块会相应地调整延迟单元的供电电压,校正由工艺角引起的振荡频率变化。当温度在-40 ℃～125 ℃范围内变化时,温度校正模块为延迟单元提供一个与温度无关的电流,以稳定振荡频率。该环形振荡器采用GF 0.18 μm CMOS工艺进行设计,版图面积为(745×595)μm²。后仿真结果表明,当工艺角变化为ss→tt→ff,振荡频率的最大变化范围为1.27 MHz;当温度变化为-40 ℃～125 ℃,振荡频率的最大变化范围为0.199 MHz。     

飞行器部件低散射载体的分析与设计

降低弱散射源的雷达散射截面,增强飞行器部件的隐身性能至关重要。但部件脱离飞行器后,需依托载体才能得到准确的隐身性能。通过探究低散射载体设计机理和思路,考虑爬行波、行波、入射频率等影响因素,设计了一款低散射载体。通过理论建模、特征基函数法仿真计算和试验测试方法验证,所设计的低散射载体的雷达散射截面足够低,可有效消除弱散射源以外的其他杂波散射影响,还原部件真实状态,有利于提升弱散射源隐身性能评估的准确性,从而优化飞行器隐身设计。     

一种8位76mW 167 Msample/s流水插值A/D转换器

实现了一种适合手持式设备应用的8 bit模数(A/D)转换器,该A/D转换器采用了2级电容插值和斩波放大技术以降低正常工作模式功耗,流水放大和预平衡比较器技术有效地提高了采样频率.测试结果表明,该流水插值A/D转换器的微分非线性(DNL)和积分非线性(INL)分别为-1～1.63LSB和-1.66～2.05LSB,其总谐波失真(THD)、去除寄生动态范围(SFDR)和信噪加失真比(SNDR)分别为-43 dB、54 dB和36.7 dB,正常工作模式和等待模式功耗分别为76 mW和5 mW.该芯片采用中芯国际(SMIC)0.18 μm单层多晶六层金属混合CMOS工艺,芯片面积为1269 μm×885 μm.     

16位高稳定性前馈结构∑-Δ A/D转换器

设计了一种具有前馈结构的ΣA A/D转换器.运用零点、极点优化技术,使Σ-△调制器在具有较高稳定性的同时得到优化的信噪比.调制器采用前馈3阶单环结构,采用1位量化,用全差分开关电容方式实现,时钟频率为256 kHz,信号带宽为1 kHz.电路采用SMIC 0.18 μmCMOS工艺,仿真结果表明,Σ-A A/D转换器达到的信噪比为90.54 dB,有效位数为14.8位;在3.3 V电源电压下,功耗为5.18 mW.     

TETRA技术在城市轨道交通无线通信系统中的应用

轨道交通是解决大城市交通拥挤的有效措施。文章论述了地面集群无线通信(TETRA)数字集群技术的特点及其强大功能,分析了轨道交通无线通信系统的特点和功能,介绍了TETRA技术在城市轨道交通无线通信系统中的应用,分析结果表明,TETRA数字集群技术是轨道交通无线通信系统的重要发展方向。     

一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路

提出了一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路.该共享预稳压电路中包含一个电源抑制减法电路以提高基准源的电源抑制,应用电流负反馈结构以降低基准源的温度系数和电源抑制随工艺阈值电压变化的敏感度,还可以降低LDO稳压器的输出噪声.仿真结果表明在阈值电压发生士20％变化的情况下,基准源的温度系数变化只有0.11×10-6/℃,电...