可变温红外探测器中测杜瓦设计

介绍了一种中测变温杜瓦装置(简称变温杜瓦),可实现多个温度条件下(60~300 K)连续测试芯片性能。与传统的中测液氮杜瓦相比,变温杜瓦体积较小,可与制冷机耦合,从而实现多个温度可调。另外,将变温杜瓦的框架部件设计为可拆卸结构,既可以兼容多种规格的芯片,又提高了芯片性能的封装效率。通过试验测试,变温杜瓦组件芯片衬底区域的温度均匀性为0.6 K,装入芯片且通电测试10 min内,变温杜瓦的控温稳定性为0.69 K,能够满足项目的使用要求(控温稳定性在±3 K)。     

可对信号再处理的拼接红外探测器封装电学设计

随着线列型红外探测器技术的发展,对超大视场扫描的需求是线列型红外测器应用的重要方向,超大视场扫描通常需要由多片线列型红外探测器拼接完成,而拼接设计的核心主要是封装结构设计。如何将探测器信号完整的引出到封装体外,就是封装结构设计中电学设计需要做的工作。文章介绍了一种线列型红外探测器拼接结构的封装电学设计,首先介绍该拼接结构的拼接方式,然后介绍为满足该种结构的电学结构设计方案,尤其是对信号二次处理部分的电学结构设计方案,最后介绍针对该种电学结构方案进行的电学布线设计方案。     

应用于红外焦平面铟柱互连的封装技术

焦平面技术在红外侦察系统和红外成像导弹系统等军事领域都已经进入实际应用阶段,同时还将扩展到诸如工业监控测温、医疗卫生、海上救援、车辆和舰船的驾驶员夜视增强观察仪等广阔的民用领域。红外焦平面阵列是红外成像的核心部件,对于红外焦平面铟柱的连结方式目前主要是通过倒装焊的封装方式,通过涂敷助焊剂并通过红外回流将其重要组成部分的探测器和读出电路互连起来。文章主要介绍了应用于红外焦平面铟柱互连的倒装焊封装技术及其可靠性的影响。     

论芯片封装技术及其发展前景

作为微电子技术领域中的一项重要技术,芯片封装技术在最近几十年的时间里获得了较快的发展,也取得了长足的进步。随着时代的变迁与发展,芯片封装技术也经历了多个发展阶段,逐步出现了几种具有代表性的芯片封装技术。本文将围绕芯片封装技术展开进一步的讨论,主要探讨了其发展前景,认为芯片封装技术将在未来很长一段时间里都是计算机微电子行业中非常重要的技术。