InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术

采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiN_x薄膜应力和致密性的影响。初步得到了低应力、良好致密性的SiN_x薄膜沉积工艺。利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10 mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10~(-8)A。     

可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器

由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7 m,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短波波段的宽光谱探测。通过特殊的材料设计和背减薄工艺,成功研制了可见光拓展的320256 InP/InGaAs宽光谱红外探测器。采用增加滤光片的方法完成了器件在可见光、短波的成像演示,结果表明:目标在可见光、短波波段呈现出不同的特征信息,而不加滤光片的可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器则探测到两个波段的信息,既包含目标的可见光信息同时也具有短波信息,从而实现了可见/短波双波段探测的效果,可显著提升对目标的探测能力。     

环带式磁流变抛光装置设计

针对"点接触"磁流变抛光技术存在对机床机械结构精度要求高,需对被抛光表面进行预抛光处理和抛光效率低等问题,提出一种采用环带式磁流变抛光技术实现平面和球面光学零件抛光的方法。该方法基于"面接触"抛光思想,采用闭合直流环带旋转磁场实现对工件抛光的原理,设计出了平面和球面光学元件自动抛光装置。分析了硬件控制和软件设计的具体结构,并采用制作出的装置进行相应的工艺实验。实验结果表明,该方法能够实现平面和球面光学元件的抛光需求。