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设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA).所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50 Ω的输入阻抗匹配.文中设计的放大器采用TSMC0.18 μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试.结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18 μm,当中心频率fo为2.4 GHz、电源电压VDD为1.8 V时其功率增益S21为16.5 dB,但功耗Pd只有2.9 mW,噪声系数NF为2.4 dB,反向隔离度S12为-58 dB.由此验证了所设计的CMOS RF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100 nm级的研发方向发展. 相似文献
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设计了一种电源电压低于阈值电压的低电压、低功耗、输入/输出全摆幅的密勒运算跨导放大器(OTA),采用衬底驱动差分对和直流电平偏移技术,使MOS器件工作在亚闲值区,降低了对电源电压VDD的要求,且输入/输出摆幅也能实现轨对轨.采用台积电(TSMC)0.35 μm标准n阱CMOS工艺BSIM3V3模型对此OTA进行了HSPICE仿真实验.结果表明,当VDD为600mV时开环增益A0为70.4 dB,不但此OTA输入/输出摆幅轨对轨,而且其功耗PD只有420 nW,从而实现了低压低耗的设计目标,可用于便携式产品的电子电路设计中. 相似文献
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