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用高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜设计并研制了单元及2×2阵列型红外探测器。其中2×2阵列型器件的四个单元探测器的Tc值及R-T特性相差≤3%。使用500K黑体及He-Ne激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率NEP(500,10,1)分别为3.6×10-12和4.1×10-12W/Hz1/2,归一化探测率分别为1.6×1010和1.2×1010cmHz1/2/W;响应率分别为8.2×104和7.2×104V/W。 相似文献
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