锰钴镍氧浸没式探测器制备及性能

基于化学溶液法制备了尖晶石结构氧化物锰钴镍氧Mn1.56Co0.96Ni0.48O4(MCNO)薄膜材料,研究了其电学性质及红外器件的探测性能,包括器件的响应率,时间常数和探测率.制作了厚度为8μm的MCNO薄膜及红外热敏探测器件,测量了材料的阻值-温度曲线.制作了基于半球形锗透镜的浸没式MCNO薄膜探测器,具有时间常数较小(~18 ms),响应率高(~4.4×103V/W)和探测率高(~5×108cm·Hz0.5/W)的优点.     

锰钴镍铜氧薄膜红外探测器制备与性能研究

报道了锰钴镍铜氧薄膜（Mn1.56Co0.96-xNi0.48CuxO4,MCNC,x=0,0.08,0.16,0.24）的红外探测器件的制备过程及器件性能。通过改变掺杂Cu的比例,制作了系列MCNC薄膜材料及红外探测器件。实验结果表明,对于一定厚度及尺寸的薄膜器件,铜的掺入能显著减小器件的阻值及器件噪声,弥补了负温度系数的减小的缺点。器件时间常数约为20~40ms。掺铜量为0.24的薄膜器件的探测率为0.83107cmHz1/2W-1,相比同样规格的锰钴镍器件提高了约130%。此外,对于MCNC薄膜器件的老化现象进行了初步探讨。     

退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响

采用磁控溅射法制备了厚度为6.5μm的Mn_(1.95)Co_(0.77)Ni_(0.28)O_4组分的薄膜材料,把材料分别在400℃,500℃,600℃,700℃,800℃下进行后退火处理.结果表明,室温下的负电阻温度系数α295值随退火温度增加先增大后减小,而电阻率ρ_(295)则是随退火温度增加逐渐减小的;在相同频率下,500℃退火样品的归一化噪声谱密度(S_V·V_R/V~2)最小,700℃退火样品的归一化噪声谱密度最大.退火温度越高会造成越多的晶体缺陷,从而降低有效导热系数、增大时间常数τ和器件噪声.     

原花青素与食品成分相互作用的研究进展

原花青素是植物中常见的代谢产物,具有优良的抗氧化、清除自由基等生理功能,是重要的食品功能成分和食品添加剂。文章简述了原花青素的结构和功能,并就原花青素与食品中其他成分如蛋白质、脂类、碳水化合物、金属离子等的相互作用进行了综述,希望为进一步研究原花青素的稳定性变化及应用提供参考资料。     

不同离子比的锰钴镍薄膜材料结构和电学性能

采用磁控溅射法分别制备了不同组分的Mn-Co-Ni-O(MCNO)薄膜材料。通过对材料结构分析,发现在Mn离子数目不变的情况下,随着Co离子的增加,晶粒尺寸逐渐增大,且晶格常数先增大后减小;在Co离子数目不变的情况下,随着Mn离子的增加,薄膜的择优生长晶面由(311)不晶面向(400)晶面转变。对电学性能测试进行分析,可知薄膜材料既有Mn离子的导电机制,也有Co离子的导电机制;Mn_1.2Co_1.5Ni_0.3O₄具有最低的电阻率(235 Ω.cm),具有最高的室温负温度电阻系数︱a₂₉₅︱(4.7%.K_-1)值。     

磁控溅射制备Mn-Co-Ni-O热敏红外探测薄膜

尖晶石Mn-Co-Ni-O三元氧化物具有优良的负温度系数（NTC）,是一种制作热敏红外探测器较为理想的材料。采用射频磁控溅射法在非晶Al2O3衬底上制备了Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCNO）多晶薄膜。使用能量色散X射线谱（EDS）对薄膜中金属元素组分进行了测量,分析得出薄膜中金属元素组分与靶材中的组分偏离在5%以内。对经过750℃空气中退火后的薄膜结构、电学和光学性质也进行了研究。实验结果表明:退火后薄膜具有单一立方尖晶石结构,且薄膜表面致密、均匀性好;薄膜的传导机制遵循小极子跃迁传导,在240~330K范围内符合VRH模型,其激活能和电阻温度系数（TCR）在室温下（300K）分别为0.297eV和-3.83%K-1;薄膜在紫外-可见波段具有较高的吸收率,间接带宽为0.61eV。