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利用射频(RF)磁控溅射法沉积(002)ZnO薄膜和SiO_2薄膜于Si基底,研制(002)ZnO/IDT/SiO_2/Si结构的声表面波延迟线,并通过3D有限元法仿真分析该结构所激发的瑞利波的声学特性,如相速度、机电耦合系数k~2等。通过实验验证,发现二者吻合较好。分析了ZnO薄膜的厚度对瑞利波特性的影响发现,当ZnO厚为8μm时,k~2取得最大值(为3.88%)。同时,分析了(110)ZnO/IDT/SiO_2/Si结构所激发瑞利波的声学特性,结果显示,当ZnO薄膜的厚为8μm时,k~2取得最大值(为5.5%)。 相似文献
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对硫酸铈剂量计电位测量法进行了研究。辐照前后剂量计溶液中Ce~(4+)-Ce~(3+)体系电位的变化(△E)被用来度量该体系的吸收剂量,从而取代了分光光度法繁杂的操作程序。在10kGy~20kGy范围内的研究结果显示,电位测量法使用未经特殊处理的辐照容器和用普通蒸馏水配制的剂量计溶液,其测量结果与Fricke剂量计的测量结果在4.5%以内符合。该方法无需稀释,所使用的电极和酸度计都是普通化学实验室中常见的,因而特别适用于辐射加工常规剂量测量。 相似文献
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采用射频磁控溅射技术在不同条件、不同基片上制备氧化碲(TeOx)薄膜,并通过X线衍射、傅里叶变换红外光谱、X线光电子能谱等技术对制备的TeOx薄膜的结构和成分进行了分析.研制了TeOx/36°YX-LiTaO3结构的Love波器件,对Love波器件的延时温度系数(TCD)进行研究.结果表明,与36°YX-LiTaO3基片上制作的水平切变声波器件的延时温度系数相比,Love波器件的延时温度系数因TeOx薄膜的沉积而减小,故TeOx薄膜的延时温度系数为负值,其变化量取决于TeOx薄膜的制备条件和薄膜厚度.因此,TeOx/36°YX-LiTaO3结构Love波器件的延时温度系数可通过选择TeOx薄膜的制备条件和膜厚进行优化. 相似文献
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