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设计了一种新的低压、高速、高线性度的双通道MOS开关栅压自举电路,该电路采用同时自举NMOS和PMOS的并行结构,不但降低了MOS开关的导通电阻值,同时在输入信号的全摆幅范围内实现了常数的导通电阻;考虑了器件可靠性要求且与标准的CMOS工艺技术兼容.采用0.13μm CMOS工艺和1.2V工作电压的仿真实验表明,提出开关的导通电阻在全摆幅输入信号范围内的变化量小于4.3%;在采样频率为100MHz,输入峰峰值为1V,输入频率为100MHz时,提出开关的总谐波失真达到-88.33dB,较之传统的NMOS自举开关以及标准的CMOS传输门开关,分别提高了约-14.8dB和-29dB.设计的开关可应用于低压、高速高精度的开关电容电路中. 相似文献
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为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗,提出了一种低电源电压写入电路.该电路利用列选和读写隔离相结合的方法,减小了写入支路上的电阻,写入电源电压由1.8V降低为1.2V,写入功耗降低了近33 %.同时,该电路减小了读取电流对磁隧道结存储信息的干扰,可有效提高自旋转移力矩磁随机存储器的存储可靠性.利用65nm的磁隧道结器件模型和商用CMOS器件模型进行了电路仿真,仿真结果表明,低电源电压写入电路能有效降低自旋转移力矩磁随机存储器写入功耗,提高其可靠性. 相似文献
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一种高性能CMOS电流模Winner-take-all电路 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新颖的CMOS电流模Winner-take-all (WTA) 电路.该电路利用可再生比较器提高了电路的解析度和速度,没有使用电流镜,而是利用整流电路输出电流,从而改善了电路的精确度,不同于传统的树型WTA电路.还提出了一种新的并行N输入WTA结构.在TSMC 0.18μm CMOS工艺下设计了一个8输入WTA电路,并与已有的WTA电路进行了比较.仿真结果表明,该电路可以达到1nA的解析度和99.99%的精确度,同时面积小,功耗低,非常适合于各种嵌入式智能应用. 相似文献
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运动估计的分层搜索算法及FPGA实现 总被引:3,自引:0,他引:3
针对H.263,MPEG4 SP等低比特率的视频编码特点,在全搜索块匹配算法的基础上提出了一种适合在硬件上实现的运动估计新算法,以及实现这一算法的硬件结构。这种结构充分利用硬件资源,采用了并行结构及数据复用技术,从而大大节省计算时间。对于CIF格式的图像,运动矢量搜索范围为-16~ 15.5,帧速率可达25帧/s。 相似文献