ZnSe:Al的霍尔迁移率

本实验所用的高纯 ZnSe 单晶是在控制Zn 分压的条件下,用升华法生长的,其中所用的 ZnSe 原料是用5N—Se 和7N—Zn 在高温下直接反应后、再经两次提纯得到的,把生长好的 ZnSe 单晶按(110)面解理,然后降阻(120hrs)、机械抛光、化学腐蚀、超声清洗后,在样品的两个表面镀上高纯 Al、将其封入装有 Zn 粒的安瓶中,其真空度为2×10~(-5)Torr。在 Zn 饱和蒸气压     

ZnSe:Al深能级的研究

把用升华法得到的 ZnSe 单晶进行解理、降阻、机械抛光、化学腐蚀后,在样品的两个表面镀上高纯 Al,在 Zn 饱和蒸气压下,进行300℃～900℃的扩散实验、然后用20%沸腾的 NaOH 经2mins 除去样品表面残留的 Al,再在300℃、Ar 气保护下,烧成 In 欧姆接触电极、尔后用5%的 Br—CH_3OH 腐蚀样品约20Sec 后,蒸上金电极,用以形成肖特基势垒,最后对各样品进行 C—V 特性和深能级瞬态谱(Deep Level Transient Spectro-scopy)的测量。