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EMMI被广泛应用于集成电路的失效分析和机理判定。针对端口I-V特性曲线的异常现象,采用静态电流的发光效应对漏电点进行光发射定位。静态电流法无法全面测试集成电路内部逻辑单元,需要使用动态信号驱动集成电路,使内部失效部位能够产生光发射。对样品在动态失效工作状态进行光发射捕捉,再结合良品对比、电路原理图和版图分析等辅助手段进行故障假设,以定位失效点,最后利用FIB系统对电路进行剖面切割制样,找出物理损伤点。对砷化镓数字集成电路的不稳定软失效案例进行分析,动态EMMI法与FIB系统联用可成功应用于芯片内部金属化互连异常的失效分析,解决传统静态光发射法无法定位的技术难题。 相似文献
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Sn-Pb共晶钎料在铜基板及金属间化合物基板上的润湿动力学 总被引:1,自引:0,他引:1
对锡-铅共晶钎料63Sn-37Pb在Cu基板及Cu-Sn金属间化合物表面层基板上的反应润湿动力学特性进行研究.结果表明:63Sn-37Pb钎料在Cu基板上的铺展特性随界面反应过程中液态钎料中Sn组元的消耗而变化;钎料熔化后的初始铺展符合简单流体规律,随后在Sn组元充足的条件下钎料以稳定速率铺展;随着Sn组元的不断消耗,润湿机制呈现界面活性元素扩散控制的反应铺展特征;63Sn-37Pb在Cu-Sn IMC表面层基板上呈现出非常好的铺展能力,远优于其在Cu基板上的铺展. 相似文献
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微量Co对低银无铅焊料润湿及界面反应的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
利用润湿测量仪研究了加入微量Co对低银无铅焊料Sn1.00Ag0.70Cu和Sn0.50Ag0.70Cu润湿性能的影响,并与共晶无铅焊料Sn3.00Ag0.50Cu的润湿性能进行对比。结果发现,焊料Sn3.00Ag0.50Cu、Sn1.00Ag0.70Cu0.07Co和Sn0.50Ag0.70Cu0.03Co的润湿平衡力F分别为3.0850,3.0600和3.0275mN,润湿时间分别为0.64,0.88和1.01s。低银微钴无铅焊料显示了与共晶无铅焊料类似的润湿力,只是润湿时间略有增加。 相似文献
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通过在导电胶中直接添加短链二元羧酸已二酸对导电胶进行改性,研究了不同含量的已二酸对导电胶性能的影响规律。通过同步热分析仪对不同已二酸含量的导电胶的固化过程和固化后的热稳定性能分析表明,已二酸的添加会和环氧树脂进行反应,并且会促进导电胶的固化放热峰向低温方向偏移;同时已二酸的添加还会部分提高导电胶的热稳定性能。通过电子万能试验机对不同已二酸含量的导电胶的粘接强度进行分析表明,当已二酸质量分数低于0.5%时,随着已二酸含量的增加,导电胶的剪切强度逐步下降,当已二酸质量分数达到0.5%后,导电胶的剪切强度出现上升现象。通过四点探针测试仪对各不同导电胶的体积电阻率的测试,发现随着已二酸含量的增加,导电胶的体积电阻率逐渐减小。 相似文献
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