应变纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子点中离子施主束缚激子的光学性质

Within the framework of the effective-mass approximation and the dipole approximation, considering the three-dimensional confinement of the electron and hole and the strong built-in electric field(BEF) in strained wurtzite Zn O/Mg0:25Zn0:75O quantum dots(QDs), the optical properties of ionized donor-bound excitons(D+, X)are investigated theoretically using a variational method. The computations are performed in the case of finite band offset. Numerical results indicate that the optical properties of(D+, X) complexes sensitively depend on the donor position, the QD size and the BEF. The binding energy of(D+, X) complexes is larger when the donor is located in the vicinity of the left interface of the QDs, and it decreases with increasing QD size. The oscillator strength reduces with an increase in the dot height and increases with an increase in the dot radius. Furthermore, when the QD size decreases, the absorption peak intensity shows a marked increment, and the absorption coefficient peak has a blueshift. The strong BEF causes a redshift of the absorption coefficient peak and causes the absorption peak intensity to decrease remarkably. The physical reasons for these relationships have been analyzed in depth.     

Correlated electron-hole transitions in wurtzite GaN quantum dots:the effects of strain and hydrostatic pressure

Within the effective-mass and finite-height potential barrier approximation,a theoretical study of the effects of strain and hydrostatic pressure on the exciton emission wavelength and electron-hole recombination rate in wurtzite cylindrical GaN/Al_xGa_1-xN quantum dots（QDs） is performed using a variational approach.Numerical results show that the emission wavelength with strain effect is higher than that without strain effect when the QD height is large（> 3.8 nm）,but the status is opposite when the QD height is small（< 3.8 nm）.The height of GaN QDs must be less than 5.5 nm for an efficient electron-hole recombination process due to the strain effect.The emission wavelength decreases linearly and the electron-hole recombination rate increases almost linearly with applied hydrostatic pressure.The hydrostatic pressure has a remarkable influence on the emission wavelength for large QDs,and has a significant influence on the electron-hole recombination rate for small QDs.Furthermore,the present numerical outcomes are in qualitative agreement with previous experimental findings under zero pressure.     

应力退火的Fe基纳米微晶带纵向驱动巨磁阻抗效应的研究

测定了不同张应力退火生成的Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｖ２Ｓｉ１３．５Ｂ９纳米微晶带在高频纵向驱动堤下的巨磁阻抗效应。从相们随外磁场的外磁堤的变化规律中得出,与磁损耗相应的α”随外磁堤的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因。并由相位随堤变化的最小值可以很确定出材料的横向磁各向异性ＨＫ的大小,这为测量材料的磁各向异性堤提供了一个亲折方法。     

纤锌矿GaN量子点中相关电子空穴的光跃迁：应变和流体静压力效应

在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了应变和流体静压力对纤锌矿GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中激子发光波长和电子空穴复合率的影响。计算结果表明,在量子点高度较大情况下( >3.8 nm ),考虑应变后的发光波长比不考虑应变的发光波长大。而在量子点高度较小情况下( <3.8 nm )则相反。由于应变效应,为了获得有效的电子、空穴复合过程,GaN量子点的高度必须小于5.5nm。发光波长随流体静压力的增大而线性减小,电子空穴复合率随流体静压力的增大而近线性增大。在量子点尺寸较大的情况下,流体静压力对发光波长的影响比较显著,而在量子点尺寸较小的情况下,流体静压力对电子空穴复合率的影响比较显著。此外,我们将零流体静压力下光跃迁能的理论计算值和实验值进行了比较,理论值和实验值相符合。     

纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁

在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为 的离子受主束缚激子(A?, X)的发光波长。结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸（高度和半径）、离子受主杂质的位置和垒中Al含量。随着量子点高度、半径及垒中Al含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大。随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界时,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值;随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值;进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大。和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小。     

矢量天线阵元方向不一致的误差校正

基于特征值分解的子空间类算法对误差非常敏感,有必要对方向误差进行有效的校正.分析了方向误差形成的原因,建立了误差阵元的数据模型,研究同一入射信号玻印廷(Poynting)矢量与阵元排列方向的关系,使用3个参量未知的校正源,通过比较校正源玻印廷矢量在参考阵元与误差阵元处的响应,获得阵列采样数据方向误差校正矩阵.比较玻印延矢量的误差校正方法不涉及参量搜索,计算量小且易于在工程上实现,计算机仿真验证了算法的正确性和有效性.     

用高能球磨制备氧化铁/聚氯乙烯纳米复合材料

运用穆斯堡尔谱、ＴＥＭ、ＸＲＤ方法研究了Ｆｅ３Ｏ４／聚氯乙烯（ＰＶＣ）粉末高能球磨产物,发现有超顺磁性α－Ｆｅ２Ｏ３生成,其形成原因可能是聚合物在空气中降解,生成含氧官能团与Ｆｅ３Ｏ４相互作用。     

多目标重访细胞成像测量系统

对显微镜下大量的活细胞进行长时间地重复观测是一项细致而又需要耐心的工作,完全依赖于人工操作不仅难度大又易引入人为的误差和错误。为了使这项工作得以轻松准确的完成,开发能对大量细胞进行重复和长时间观测的工具实在必要。以ＣＣＤ技术和计算机自动控制技术为基础,研制了一套自动成像测量系统。该系统能够定时自动对多个目标进行重复摄像和分析。其对目标的重访精度小于４μｍ,完全可以满足精确地对大量细胞长时间重复观测     

内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响

在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响。结果表明：杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大。随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小。与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L>6nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能。