基于充电抑制膜的航天器不等量电位控制方法

航天器在空间环境中飞行时,其表面的不同介质材料表面与等离子体环境相互作用后形成的不等量充电电位达到放电阈值（107 V/m）后,将有可能发生静电放电（ESD）。充电抑制膜是一种基于不等量电位梯度场发射原理的防护材料,当其上下表面电位差达到发射阈值后,充电抑制膜将发射电子从而对航天器结构不等量电位起到减缓作用。文章介绍了真空条件下充电抑制膜场电流发射特性,分析了充电抑制膜场电子发射对航天器表面不等量电位的控制效果,为航天器表面电位控制及减缓提供方法和依据。     

GaN器件质子辐照与电场综合试验系统及方法

基于GaN器件质子辐照损伤机制和退化特性，根据剂量深度分布等效拟合原理，提出与地球同步轨道质子辐照环境等效的多能质子综合辐照试验方法。针对空间内带电问题计算电路板材料的充电电位，设计用于内带电效应模拟的静电场和瞬态电场的模拟方法及装置。建立质子辐照与电场综合试验系统并开展初步的试验。研究结果表明：GaN器件在跨导峰值处的栅源电压随质子注量发生偏移；相对于单独质子辐照，质子和电场综合作用下器件特征参数变化速度更快，幅度更大，证明了所提试验方法及系统的有效性。