红外(10.6μm)增透膜抗激光性能的探索

(一)引言 增透膜广泛应用于激光系统中,用以提高激光工作物质的自振阈值,提高输出功率,减小光学零件的插入损耗。由于激光功率不断提高,对涂层抗激光性能提出了越来越高的要求。涂层的破坏阈值也成为工作在强流脉冲高功率CO_2激光下的涂层的主要设计参数。 70年代以来,美国国家标准局创办专刊,报道各种光学材料的激光感应破坏。美国     

溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.     

用于超高速神经形态计算的光子突触

基于非冯·诺依曼体系结构的神经形态计算是有望实现高效人工智能的一种方式。神经态计算系统主要由突触和神经元组成。目前已有不同的技术路线开发出多种电子神经形态设备的研究。神经形态光子技术结合了神经网络的高效率和光子的高速度来构建计算系统,通过光学手段进行计算,具有超快的操作速度,大的带宽和无电互连功率损耗等潜在固有优势,因而受到越来越多的关注。本文回顾了光子突触研究的最新进展。     

聚光光伏技术及研究进展

<正>聚光光伏技术是指利用光学元件将太阳光汇聚后,通过高转化效率的光伏电池(GaAs基)直接转换为电能的技术,被认为是太阳能发电未来发展趋势的第三代技术,即聚光光伏(CPV)。1.聚光光伏技术概述GaAs基太阳能电池可分为单结和多结叠层式太阳能电池两类。GaAs、Ge单结太阳电池理论效率27%,实验室效率达到     

太阳能用多晶硅料技术概述及技术进展

介绍了制备太阳能多晶硅的几种工艺方法原理。简述了近几年多晶硅的技术进展。分析了我国多晶硅生产优势和存在的问题.并对我国发展多晶硅产业给出建议。     

溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.     

太阳能用硅片技术及其进展

多晶硅片或单晶硅片是光伏产业链中太阳能电池片生产的基板材料。近年来,光伏产业的迅猛发展极大地促进了硅片制造技术和装备的飞速发展。文中介绍了当前晶体硅太阳能电池用硅片制备的主要工艺,并对其中的关键技术及发展状况进行了论述。     

石墨烯光电探测器的研究进展

石墨烯应用在超快、超宽谱、长寿命光电探测器方面极具潜力。首先分析了石墨烯增强光电探测器超高速的机理;其次,从提高探测响应度的各类纳米结构角度分别综述了光电探测器国内外最新研究进展;最后,介绍了石墨烯光电探测器的应用波段。     

一种表面等离激元干涉型窄带梳状滤波器优化设计研究北大核心CSCD

为了压窄梳状滤波器单信道带宽,提高有限频带资源利用率,本文提出一种表面等离激元(surface plasmon polaritons,SPPs)干涉型梳状滤波器。在单信道带宽被压窄的同时,伴随通带透射率和信道数大幅提升。利用时域有限差分(finite difference time domain,FDTD)法数值模拟了梳状滤波器设计参数对透射光谱的影响,探究了产生机理,优化了设计结构。研究结果证明,梳状透射光谱单信道超窄带宽是SPPs和石墨烯微腔双重干涉的结果。梳状透射光谱主要集中在1—1.24μm近红外波段,单信道带宽最优值可达4.2 nm,信道数高达18个。同时可通过调控顶层二氧化硅(SO)的宽度实现相邻信道间距、单信道带宽和信道数的需求选择,尤其梳状光谱是由滤波器结构材料自身耦合共振激发的,结构简单,更易于片上集成。     

AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展

AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结，并给出AlN的最佳生长条件。