一种用于GSM系统的多层平面有源滤波器

给出一种新颖可用于ＧＳＭ系统手持机（ＭＳ）的甚小型多层平面有源滤波器的结构、等效电路模型、最优化的数学模型和实现方法。提出了提高程序运行效率的“优化筛选法”。计算并讨论了１．８５ＧＨｚ频率下该滤波器的结构参数值和等效电路元件值与射频参数的关系。由此获得了最佳结构参数和等效电路值，计算表明在通带范围内该滤波器具有低噪声性能。     

DESIGN AND PERFORMANCE OF COMPACT LOW NOISE GaAs MESFET AMPLIFIERS FOR UHF OPERATION

The design considerations and experimental results of compact low noise GaAs MESFETAmplifiers for UHF operation are described in this paper.The miniaturized and optimized circuitsare obtained by means of special matching network and GAD technique.Both a two-stage unit at 700MHz and a three-stage unit at 1000 MHz are fabricated on a 50×60 mm~2 alumina substrate,andpower gain of 29 dB and 30 dB,,noise figure of 0.8 and 1.2 dB and bandwidth of 40 MHz(3dB)and100 MHz (1dB) are obtained respectively.The satellite direct broadcasting TV receiver fabricatedwith a 700 MHz GaAs MESFET amplifier has clear pictures and good sound.     

全集成2.4 GHz CMOS对称式收发开关的设计

文章设计了一种应用于无线通信的2．4GHz全集成对称式串并型射频收发开关，详细分析了影响这种射频收发开关性能的各种因素，并采用了相应的优化方案。经仿真，在2．5V电压下获得了插入损耗1．0dB、隔离度30．5dB和1dB压缩点为16．1dBm的较好结果。该开关采用TSMC0．25μm工艺设计实现，版图面积(包括pad)为0．6mm^2。     

微波非接触式智能卡中射频系统和电路的设计实现

采用了Agilent公司ADS2002软件、Ansoft公司的Ensemble软件对微波非接触智能卡中射频系统和电路进行了仿真和设计。主要进行收发信道性能的仿真、天馈系统设计以及各单元电路之间匹配电路的设计。     

频带反射型腔稳体效应振荡器的最佳耦合线长度

本文修正了文献[1]中频带反射型腔稳体效应振荡器(简称BRCO)耦合线长度的理论,所得最佳耦合线长度l_0和实验值一致。在此基础上提出了简化设计和调试步骤,并研制成频率稳定度和功率稳定度分别为5.8·10~(-6)和2.55·10~(-3)的50GHz高稳定固态源。     

UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管

本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器件的工作参数为V(DS)～4V,V_(g_1s)～-2V,V_(g_2s)～0V,此时I_(DS)～6mA 1GHz 下NFmin 1.2dB(最佳0.8dB),G_a10dB,G_R45dB.场效应晶体管在UHF电视机和步话机上初步应用,性能良好.     

Si基毫米波共面波导建模

本文阐述了毫米波CMOS集成电路的关键技术之一,Si基共面波导(CPW)的机理和等效电路模型.通过电磁仿真(HFSS软件)提取CPW的S参数并计算相应的分布参数,建立了基于硅衬底的标准0.18μm CMOS工艺的毫米波CPW模型.实现了频率可达40GHz,特性阻抗分别为36、50和70Ω的CPW元件库.     

宽带CDMAWL系统的数字接收机的实现

无线本地环（WLL）是一种无线接入系统,它用无线的方式代替了传统的铜线连接用户到本地交换机。介绍了一种用于宽带CDMA WLL系统的数字接收机。叙述了WLL的系统组成、网络结构、反向链路信道结构和反向中继接收机设计规范,并论述了代码捕获和代码跟踪模块的功能。接收机的运行时钟频率可达65．536MHz。     

1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现

介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。