以空穴层为表面层的第Ⅱ类半无限半导体超晶格中的表面集体激发模式

本文计算了以GaSb为表面层的半无限GaSb/InAs半导体超晶格中的集体激发模式.考虑了声子的效应并讨论了推迟效应的影响.     

硅反型层中热功率的磁量子振荡

本文把Butcher等提出的计算GaAs异质结磁热功率振荡的理论方法推广用于计算硅反型层的磁热功率。计算中同时计及了磁热功率张量的屏蔽声曳贡献和扩散贡献,采用了重新核实的硅反型层二维电子密度数据,并用电阻张量的实验值取代有较大误差的解析公式。计算结果远优于前人的结果,在振荡位相和幅度两方面都与Oxley等提供的T=5.020K下的最新实验数据定性相符。     

电场下多量子阱能级和光跃迁的计算

本文利用迫近递推法(ATM),用准静态近似,以较高的精度模拟实际的带边形状,自治地计算了中等强度电场下,第Ⅰ类 GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As半导体多量子阱的载流子能级和波函数,并由此计算了多阱系光跃迁的吸收系数.结果表明,正如Bleuse等用紧束缚模型所预言的,电场导致了能级的等间距分布,载流子波函数的局域化以及对应于不同能级的波函数之间的平移关系.本文的方法可用于计算有复杂形状带边的半导体异质结构的载流子性质.     

半导体超晶格的带间集体激发

本文用自治的线性响应理论,在类似于紧束缚近似的条件下计算了非扁平子带间的集体激发谱.结果是不仅文献[3]导出的无重叠模式有显著的修正,而且出现了两支纯由层间波函数的重叠效应引起的新模式. 本文的方法可直接用于带内激发和存在垂直磁场时磁等离子激发的研究,并为建立半导体超晶格内非扁平子带间的光吸收理论以及鞍点激子理论奠定了基础.     

电离施主的振动电流对半无限的第I类半导体超晶格内表面电子集体激发模式的修正

本文计算了电离施主的振动电流对半无限的第Ⅰ类半导体超晶格内电子集体激发表面模式的修正,结果是在整个波矢范围内频率降低,而且在波矢的一些区间内,模式有微小的分裂.     

计算二维半导体体系电子能带的ATM(英文)

It is pointed out that in terms of the asymptotic transfer method (ATM) suggested by us, the electron subbands and wavefunctions can be solved consistently for both type-I and type-Ⅱ semiconductor multi-quantum-well systems in which the bandedges of conduction bands and valence bands are not flat (oblique lines or curves). As illustrative examples,we performed a self-consistent calculation of electron subbands and wavefunctions of a Ga1-xAlxAs sawtooth superlattice taking account of the variation of the effective mass of electrons with the concentration of Al. We also finished a calculation of electron subbands of type-Ⅱ semiconductor multi-quantum-well systems when an electric field was applied along the growth axis. It is shown that for type-Ⅱ semiconductor multi-quantum-well systems the application of an electric field also results in a strong localization of the eigenstates.     

半导体超晶格-绝缘介质-半导体超晶格夹层结构中的表面电子集体激发谱

本文研究了两个半无限的第Ⅰ类或第Ⅱ类半导体超晶格之间,夹以一层绝缘介质所形成的S-I-S夹层结构中,绝缘介质表面的电子集体激发谱.结果表明,不论是第Ⅰ类的或是第Ⅱ类的S-I-S结构都在很大的范围内出现声频支型的表面电子集体激发模式,而这种模式原本是不能存在于半无限的第Ⅰ类超晶格表面的.这种可以形成并传播声频支型模式的波导似的结构,具有实际应用的前景.     

准周期半导体超晶格的临界等离激元

基于一个普适的模型,在有理数近似下,讨论了准周期超晶格的等离激元的色散关系.导得了一个适用范围较大的条件,借此不仅可以方便地重现一些文献的一系列结果,而且可以确定第Ⅱ类准周期半导体超晶格以及Ⅱ-Ⅵ族准周期半导体超晶格的等离激元的色散关系.文中也提出了一个计算半无限准周期超晶格表面等离激元色散关系的具体方法.