ZnO对BaSm_2Ti_4O_(12)陶瓷性能的影响

讨论了Zn O对Ba Sm2Ti4O12介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O添加能推动Ba Sm2Ti4O12微波介质陶瓷的烧结,可至少将其烧结温度降低至1 280℃。当添加过多的Zn O时,Zn2+会进入晶格,可能导致晶格畸变,由此造成颗粒间产生微小孔隙及晶格内形成许多缺陷,降低了材料的εr和Q×f值。含0.5 wt%Zn O的Ba Sm2Ti4O12试样在1 280℃烧结时,综合介电性能最好:εr=76.46,Q×f=6 334 GHz。     

复合添加ZnO/V_2O_5对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷性能的影响

讨论了复合添加Zn O/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)Ti O4介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)Ti O4的烧结有一定的促进作用,但Zn O/V2O5添加量的增大会造成晶格缺陷和残留气孔增多,从而导致材料的密度和Q×f降低。在1 320℃保温4 h并添加了0.6 wt%Zn O/V2O5的试样具有相对较好的介电性能:εr=36.48,Q×f=16 800 GHz。