边缘贴装连接器过渡结构带宽改进设计

随着信号传输速率的不断提高,THRU-校准板必须能够在高频线路中保证良好的传输特性。然而,连接器与校准板的过渡结构中总是存在不连续性,这种不连续性严重制约THRU-校准板的测试带宽。针对该问题,对边缘贴装连接器过渡结构进行研究,分析过渡结构中返回电流路径不连续的原因,提出过渡结构底层添加焊料改善过渡结构不连续性的方法。在此基础上,为了进一步改善过渡结构中返回路径的不连续性,提出减小通孔壁间距来提升测试带宽的方法。最后对两种方法进行仿真分析和实验验证,结果显示,经过两种方法处理之后,极大地提升了THRU-校准板的传输性能,使其测试带宽提升至40GHz。     

基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

为了解决射频器件无损测试的难点，基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构，设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关，该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接，通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试，最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示，1～8 GHz内，器件的插入损耗为-1.5～-3.5 dB,回波损耗为-15～-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。