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章其麟 《稀有金属(英文版)》1993,(1)
The paper reviewed the progresses of MOCVD technique used in the growth of group Ⅲ-V compoundsemiconductor materials and the preparation of devices in Hebei Semiconductor Research Institute (HSRI),and also introduced some of the recent progresses in China. 相似文献
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固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过在GaN衬底上生长固体C60膜制成了C60/n-GaN接触,并对其电学性质作了测量.我们发现该接触是理想因子接近于1的强整流接触异质结.在偏压为±1V时,其整流比高达106.在固定正向偏压条件下,异质结电流是温度倒数的指数函数,通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为0.535eV.本文还发现,固体C60/n-GaN样品中C60的电导随着正向偏压的增加而迅速变大.这种现象被认为起因于n-GaN对C60的电子注入. 相似文献
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