厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量

针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线,并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律.最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析.     

用二元位相光栅进行激光束叠加的研究

基于标量衍射理论,系统探讨了二元位相光栅实现激光束叠加的理论和位相光栅设计方法,利用新型遗传模拟退火混合算法得到优化的光栅参数,给出其用于分束和耦合时的模拟结果,并讨论实际误差对位相光栅耦合效率的影响.二元位相光栅用于激光束叠加有结构简单,调节灵活的优点,可以有效地提高激光束的功率密度和系统的整体性能.     

抗蚀剂AZ4562曝光参数的变化趋势分析

针对厚胶曝光参数随不同光刻胶厚度及工艺条件变化的特点,在原有Dill曝光模型基础上,建立了适合于描述厚胶曝光过程的增强Dill模型,并将统计分析的趋势面法引入到厚胶曝光参数变化规律的研究中,给出了厚胶AZ4562曝光参数随胶厚及工艺条件的变化趋势,为开展厚胶光刻实验研究和曝光过程模拟提供指导性依据。     

厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量

针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响，更新Dill曝光参数的定义，建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型．光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系，为此，建立了实时曝光监测实验装置，测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线，并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律．最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析．     

用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究

对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件.通过对光刻工艺过程的研究,可为较好地控制正性光刻胶面形,制作微机械、微光学器件提供了参考依据,对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义.     

用于分数傅里叶域滤波位相元件设计新算法

基于部分相干成像和分数傅里叶变换理论,建立成像系统的分数傅里叶域滤波模型,提出了可快速设计分数域位相型滤波片的 FrPI 算法。此算法将逆向设计预设初位相与分数傅里叶迭代技术相结合,针对成像系统中不同的设计要求可快速设计出所需的分数域滤波片结构。模拟结果表明,对数值孔径有限的部分相干成像系统,使用新算法设计的分数域滤波片,可有效补偿由于高频损失带来的图像失真,从而使局部线宽偏差和面积偏差分别由滤波前的 36.548nm 和 39.09%下降到了 15.234nm 和 7.72%,明显减少了空间像畸变。     

用等腰三角形位相光栅进行相干光并束的研究

为了满足未来惯性约束激光核聚变(ICF)的快速点火装置对高能量激光束的要求,提出并特殊设计了一种可用于ICF系统中相干并束的等腰三角形位相光栅.模拟计算和分析的结果表明,这种等腰三角形位相光栅对4束相干激光并束的效率理论上可以达到90.2%,比普通的二元达曼型位相光栅的衍射效率高22个百分点.相对而言,该光栅具有加工难度低、误差宽容度大等优点,有较强的实用前景.