碲镉汞材料的P,N型和其霍耳系数的正负

本文根据Ｐ、Ｎ型的定义和通用的霍耳系数公式对其作具体分析，表明在某些情况下，霍纱数为负值是，材料也可能为Ｐ型。在选择ＭＣＴ光伏器件的材料时，应引起足够的重视。     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。     

现浇混凝土产水构筑物裂缝成因及预防措施浅析

本文结合工程实例,分析了现浇钢筋混凝土水池结构裂缝产生的原因和预防措施,指出降低混凝土水化热,控制混凝土最高温升和温差,使用高效的HCSA混凝土膨胀剂能够有效控制超长钢筋混凝土水池结构产生有害裂缝。     

工程化双波段短波多元碲镉汞探测器

报道了在一个外尺寸为20mm×20mm×4．5mm充氮管壳内封装两个波段拼接的8元短波MCT探测器工程化组件。在155K工作温度下，探测器的DΔλ*为4～10×1011cmHz1／2／W，R0A为104～105Ωcm2；两探测器芯片共面度小于20μm，拼接精度为±5μm，并对该组件进行了一系列环境实验，现已用于系统，呈出高质量的图像。     

Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的离子束磨削

本文用透射电子显微镜研究了经氩离子束磨削过的Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的缺陷结构。当磨削束流密度为600μAcm~(-2)时,会产生高密度的小位错坑。这些位错坑具有巴尔格矢量为1/2 o〈110〉的棱边取向和具有填隙性质。这些位错位于磨削表面下大约50nm的窄带内,比氩离子射程大一个数量级。于是认为以级联形式出现的填隙就从较热表面区域扩散到样品体内。由于该材料中的快速扩散,填隙浓度梯度很小,于是在较冷的深层区域的过饱和填隙要超过该表面的填隙,因而这个深度利于成核。也观察到了在室温下储藏一时期后,这些位错坑有收缩现象,表明了在这种材料中的快速扩散。     

少数载流子寿命测试系统研究

少数载流子寿命是衡量半导体材料性能的关键参数之一 ,文中介绍了光电导衰退法少数载流子寿命测试系统。阐述了光电导衰退法测试原理 ,分析了测试系统构成 ,以及光脉冲下降沿时间、微弱信号放大处理、前放带宽、精密定位等关键技术 ,其主要性能指标是 :少数载流子寿命测试范围 :1× 10 - 7～ 6× 10 - 6s ;可测样品尺寸 :小于 2 0mm ;单色光光点大小 :Φ 0 .3mm ;测试数据稳定度优于 10 %。     

低能离子束成结制作10．6μm碲镉汞光伏探测器

制作光伏型碲镉汞（ＭＣＴ）探测器ＰＮ结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现，低能离子束成结更适合制作长波光伏型ＭＣＴ探测器。本文报导了低能离子束成结的１０．６μｍ光伏型碲镉汞探测器的性能，衬底为载流子浓度在０．８～６×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）范围的Ｐ型ＭＣＴ材料，离子束能量范围为１００～６００ｅＶ，通过离子束处理，可在Ｐ型ＭＣＴ表面形成一薄层较低载流子浓度的Ｎ型区，而制成ＮＰ结，利用该技术成结制作的大面积、四象限１０．６μｍＭＣＴ探测器，在－２０ｍＶ的偏压，８０Ｋ的温度下，器件的峰值响应率和峰值分别为３２４．５Ｖ／Ｗ和１．１３×１０￣（１０）ｃｍＨｚ￣（１／２）／Ｗ，每元光敏面积为６．８８×１０￣（－３）ｃｍ￣２。     

碲镉汞材料的离子束蚀刻研究

本文对Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)材料的离子束蚀刻规律进行了一些探索。结果表明可以选取低能量、小束流密度,用302光刻胶作掩模来蚀刻MCT材料,蚀刻的图形边缘整齐,边壁陡直。随着MCT组分x值的增大,其蚀刻速率减小是由于x值大的MCT材料中Cd-Te键占的比例大,Cd-Te键的结合要强于Hg-Te键。