高隔离度Ka波段平面魔T的设计

提出了一种适合于毫米波微波集成电路(M IC)的高隔离度平面魔T结构,该结构属于一种新型的180°平面型混合网络。基于传统的微带混合环原理,引入了微带-槽线过渡的结构,两个端口之间的180°相移通过微带-槽线转换结构实现,从而实现了输出端口的隔离。该结构采用多节阻抗匹配网络,增加了工作带宽,使微带-槽线过渡结的寄生耦合最小化。通过设计可实现得到最小尺寸的槽线终端,降低了微带-槽线过渡结的辐射损耗。引入的等效电路模型有效地提高了平面魔T的设计。借助CST软件,仿真优化了λg/4变换器以及微带-槽线转换结构的阻抗匹配,提高了隔离度。实验结果表明:在工作带宽(34～36 GHz)内,该结构输出端口2和3的隔离度达20 dB,输入端口回波损耗低于18 dB,插入损耗1 dB。     

高精度温度采样与控制系统

<正> 本文主要介绍利用 AT89S51单片机设计的高精度采样的温度控制系统,利用一个 I/O 口完成多点温度的检测和环境温度的检测。1.概述AT89S51单片机处理系统的数据、控制升降温设备及显示。温度采集核心部件采用 DS18820温度传感器,其内部采用温度-频率变换方法进行温度采集,     

高速积分式直流数字电压表

<正> 目前工业控制中大量使用对控制电压的高精度采样,主要采用集成 A/D 芯片为核心实现,为了进一步提高采样速度,提高电压采集中的抗干扰性能,本设计采用基于数字电路和模拟电路并结合AT89S51单片机的系统,先通过两片运算放大器构建的双积分电路完成对电压量转换成时间量,然后通过单片机完成对时间量的计数和显示,在此期间由数字电     

宽带高隔离度功率分配器的设计

在固态毫米波功率放大器设计中,单片MMIC 输出功率较小,提高系统功率的有效方法是采用功率合成技术,目前的功率合成技术存在的设计难点是提高各分配支路间的隔离度。本文基于对传统魔T 的分析和改进,提出了一种高隔离度的3 dB 功率分配结构。经实验测试,运用该结构设计的功率分配器,在29.3-39.3GHz 的频带内两等分支路之间的隔离度可高达-42dB,两支路的不平衡度低于0.1dB,插入损耗优于-0.25dB,很好地满足了实际应用的要求。