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1.
袁礼华  袁中朝  谭千里 《半导体光电》2011,32(2):192-194,199
选取窗口结构强度相对较弱的圆形平面玻璃光窗外壳,就该类外壳最薄弱的带光窗管帽受力状态进行了有限元分析,根据强冲击下结构与应力的变化趋势优化设计了管帽结构,结果显示经结构优化的管帽能承受1×104 g的强冲击,满足光电器件封装的高强度要求。  相似文献   
2.
冯大伟  袁中朝  冯源  郝永芹 《半导体光电》2011,32(6):781-784,897
为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSELP面的注入电极由传统的环形结构改为网状结构并且热沉位于N面电极。实验制备了出光孔径同为500um的传统环形电板和网状电极两种高功率VCSEL,并对器件的性能进行了对比测试。测试结果表明,网状电极结构高功率VCSEL相对传统环形电极结构高功率VCSEL器件具有良好的光电特性,室温下新结构高功率VCSEL的阈值电流为430mA,斜率效率为0.44mW/mA,电光转换效率可达21.7%,最大输出功率可达420mW,是传统结构高功率VCSEL输出功率的2.27倍。  相似文献   
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