电容式触摸屏气泡线不良的研究与改善

在触控产品的制作过程中,气泡线不良严重影响着产品的外观品质。本文从气泡线的产生机理入手进行研究,发现该不良是由贴附偏光片时传感器保护层有机膜段差处与偏光片之间残留气泡导致。本文从设计面、工艺面对气泡线的影响因子进行了研究,实验发现有机膜边界设计位置、有机膜厚度、偏光片贴附相关工艺以及偏光片中PSA厚度对气泡线不良影响显著。其中有机膜边界设计位置远离显示区,降低有机膜与偏光片交叠宽度,可以使脱泡时气泡更容易排出而改善气泡线不良;降低有机膜厚度,可以减少偏光片贴附时有机膜断差位置气泡积累而改善气泡线不良;偏光片贴附相关工艺中增加贴附压力、降低贴附速度、增加脱泡时间,可以减少气泡积累以及增加排出而改善气泡线不良;增加偏光片中PSA胶层的厚度,可以在偏光片贴附时获得更大的弹性及压入量,减少气泡的积累而改善气泡线不良。研究结果表明,以上改善方法均能有效降低气泡线的发生率,实际生产时可采用组合对策,避免气泡线不良的发生。     

广电行业进一步提高客户粘着度的对策——以江苏有线镇江分公司为例

本文以有效提高广电行业客户粘着度为目的，以实际调研为方法，以江苏有线镇江分公司为个案，从市场观察、实际做法、不足分析等方面入手，致力于找到实际可行的对策，以小见大，来解决广电行业发展过程中—些亟待解决的难题。     

多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计

应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制,并给出轻掺杂结构参数(如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等)的优化设计,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据.     

CMOS图像传感器在数码相机中的应用

对CMOS与CCD图像传感器的特点及其在数码相机中的应用进行了讨论，着重研究了CMOS图像传感器芯片的应用及其发展前景，针对CMOS图像传感器的特点设计了一个完整的数码相机，并利用PC机中的图像处理软件处理和显示所拍摄的图片。     

低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究

研究了溅射Ta膜的电学和结构特性与N2气分压的关系.并确定了电学性能稳定低阻α-Ta薄膜(电阻率34μΩ·cm)的制备工艺条件.     

一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计

提出一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计方案。采用共面转换模式并在液晶和反射板之间加入四分之一光延迟膜。通过使用参数空间表示法优化选择器件参数,获得了高反射率、低色散和宽视角的常白、常黑反射式显示模式。     

液晶显示器产品与市场的现状和展望

信息技术（ＩＴ）与信息产业的迅速兴起,为信息显示技术提供了广阔的市场和良好的机遇。各种平板显示技术如等离子体显示（＊＊Ｐ）,发光二：极管（１。＊Ｄ）,电致发光〔＊Ｌ）、尤其是有机电致发光（ＯＥＬ）,场发射（ＦＥＤ）和液晶显示（ＬＣＤ）等已成为人们竞相研究开发的热点。其中,液晶显示器脱颖而出,以其低功耗、易集成和轻巧便携的特点率先进入市场并不断拓宽其应用领域。薄膜晶体管寻址的液晶显示器（ＴＦＴＡＭＬＣＤ）又以其大容量、高清晰度和全彩色的视频显示成为液晶乃至整个平板显示技术领域的主导技术,相关的高新…     

TFT工艺中的反应性离子刻蚀

对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。     

TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究

建立了ａ－ＳｉＴＦＴＡＭＬＣＤ的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及ＴＦＴ导电沟道电容构成的ＲＣ（ＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙＣａｐａｃｉｔａｎｃｅ）常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考。