单晶硅生长技术研究新进展

综述了单晶硅生长技术的研究现状。对改良热场技术、磁场直拉技术、真空高阻技术以及氧浓度的控制等技术进行了论述。     

晶硅电池电极技术进展研究

对比研究了常用于晶硅太阳能电池正面电极的银和铜的光电性能和技术发展前景等,着重研究了新型铜基复合电极的优点、技术难点及其解决方案,阐述了国内外晶硅电池铜基复合电极的最新进展。     

溶胶—凝胶法制备掺镧钛酸铋铁电薄膜

利用溶胶-凝胶法在Si（100）及Pt/Ti/Si（100）衬底上制备了Bi3.5La0.5Ti3O12(BLT-5）铁电薄膜,研究了在不同退火条件下BLT-5薄膜的结晶性能。经650℃、30min退火处理的BLT-5铁电薄膜的矫顽场Et=67kV/cm,剩余极化强度Pt=11.2μC/cm∧2,BLT-5铁电薄膜呈现较好的抗疲劳特性,可望用于制备高容量铁电随机存取存储器。     

金属钠的制备研究

概述了金属钠的性质和用途,介绍了现在主要的制备金属钠的方法。     

PbSc0.5Ta0.5O3热释电材料及其红外探测器列阵

热释电红外探测器具有探测波长范围广、室温工作、无需致冷等优点。近年来，工作于介电方式下的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)热释电材料由于具有热释电系数大，热释电探测优值高等特点，成为热释电应用研究的热点之一。本文综述了目前PST热释电陶瓷材料的介电，热释电性能及其探测器列阵的发展。由于小型化的要求，PST薄膜亦倍受关注，因此本文还对目前PST热释电薄膜的制备方法，薄膜的热释电、介电性能及薄膜型探测器结构和发展进行了概述。     

PLCT薄膜的结晶性能研究

采用Sol-Gel法制备了（Po0.9-xLa0.1Cax)Ti0.975O3( 简写为PLCT100x)铁电薄膜。利用Siemens D5005型号X射线衍射仪分析了PLCT（x)薄膜的结晶特性，总结出全钙钛矿相的PLCT铁电薄膜的退火工艺。用AFM测试了PLCT（100x)薄膜的表面，发现用Sol-Gel方法制备的薄膜相当平整。     

甘油三酯中脂肪酸酰化位置分析方法的研究进展

食物中的脂类95%是甘油三酯,在甘油三酯的不同位置上酰化的脂肪酸组成各不相同,且不同酰化位置的脂肪酸影响甘油三酯的消化吸收及代谢等.综述了甘油三酯中不同位置上酰化脂肪酸的组成及含量的几种测定方法,如专一性脂肪酶法、磷脂酶A2法、衍生化试剂法、HPLC法等.     

溶胶–凝胶法制备BST薄膜的结晶特性研究

采用改进的溶胶–凝胶(sol-gel)工艺配制了(Ba0.65,Sr0.35)TiO3(BST)溶胶。利用旋转涂覆工艺将BST溶胶涂覆在SiO2/Si衬底上,在不同的热处理条件下制备出BST薄膜。XRD分析结果表明:制得的BST薄膜形成了单一钙钛矿结构;AFM测试结果表明,BST薄膜表面平整致密,无裂纹。表面均方根粗糙度为3~6nm,晶粒大小分布均匀,直径约为40~100nm。随着热处理温度的提高,BST薄膜的晶粒变大,表面粗糙度变大。     

So1-gel制备PLCT薄膜的结晶特性与电畴结构研究

运用Sol-gel技术制备了(Pb，La，Ca)TiQ(简写为PLCT)铁电薄膜；利用XRD、SEM、AFM和EDAX分析了PLCT、薄膜的结构、表面形貌和组分。XRD衍射结果表明，PLCT、薄膜呈钙钛矿结构。随着退火时间的增加，PLCT、薄膜的XRD衍射峰的强度也随之增加。SEM、AFM分析表明，PLCT、铁电薄膜表面平整、致密、无裂缝。EDAX分析表明，PLCT、薄膜的实际组分十分接近设计组分。利用PFM分析了PLCT、薄膜的电畴结构，发现随着退火时间的增加，PLCT、薄膜的电畴由细小圆点状逐渐增大并形成片状电畴。     

Pechini方法制备纳米级Pb1-xCaxZrO3陶瓷

采用Pechini方法制备了PCZ(x)纳米粉体,并用PCZ(x)纳米粉体制备了PCZ(x)陶瓷。用激光粒度分析仪分析了PCZ(x)纳米粉体的平均粒径。利用XRD、LCR测试仪、SEM等分析手段表征了PCZ(x)陶瓷的结构及介电性能。结果表明用PCZ(x)纳米粉体在1 250℃下烧结的配方为Pb0.65Ca0.35ZrO3的陶瓷具有最高的钙钛矿相含量以及最大的介电常数。PCZ(x)陶瓷晶粒细小,晶界完整。