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Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究 总被引：2，自引：0，他引：2
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设备能够自洽生长优质ＺｎＳｅ单晶薄膜；用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂，获得了ｐＺｎＳｅ单晶薄膜，经ＣＶ测量发现，［Ｎａ］［Ｎｄ］高达～５×１０１７·ｃｍ－３；用国产粉末状ＺｎＣｌ２源作施主掺杂剂，获得了ｎＺｎＳｅ单晶薄膜，Ｈａｌ测量表明［ｎ］高达～２３×１０１９·ｃｍ－３。生长速度均控制在～０５μｍ／ｈ。 相似文献
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等离子体活性氮源的研制 总被引：3，自引：0，他引：3
ＺｎＳｅ基材料是研制蓝绿色发光器首选材料之一。本文报道一种自己研制的，以石英管为主体结构材料的，可适用于ＺｎＳｅ基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氮源。该氮源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件，利用装备有该氮源的国产ＦＷ－Ⅲ型分子束外延设备，成功地生长出Ｐ型ＺｎＳｅ优质单晶薄膜，ＳＩＭＳ测量表明，薄膜中氮浓度高达～２．３×１０＾２０ｃｍ＾－３，Ｃ－Ｖ测量表明，净空穴浓度（Ｎａ）－（Ｎｄ 相似文献
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