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针对气液联合式碎石器内部出现的气蚀问题,在建立基本控制方程及质量输运方程的基础上,根据碎石器结构原理同时参考主机液压系统管路布置,搭建了包含动力系统及控制系统的整机AMESim仿真模型。之后,基于影响气穴的参数类型及对应取值范围设计了正交试验方案,并进行了仿真分析,获得了提高活塞后腔最低压力的最优水平组合。最后,对于集中参数模型无法反映流体质点运动空间的不足,进行了CFD模型与AMESim输出最优参数组合的联合仿真,并和AMESim模拟结果进行了对比。结果表明:活塞后腔出现最低压力的时刻与活塞运动至下死点的位置完全对应,这也与实际工程中出现气蚀真相的位置十分吻合;活塞前腔杆径是影响最低压力的主要因子,同时最低压力与杆径及蓄能器初始容积都呈负相关、与蓄能器压力正相关,与工作压力没有表现出明显的相关性;采用最优水平组合时,AMESim计算得到的最低压力为2.29 MPa,而CFD仿真获得的最低压力为1.016 MPa,其远高于工况条件对应的空气分离压。 相似文献
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以GaN为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,是信息产业前进的发动机,同时有可能改变人类照明光源的技术现状。本文对GaN固体光源的起源和发展做了回顾和展望,并给出几种可见光功率LED芯片的结构及其封装特点,最后指出在未来50年内,用GaN固体光源取代白炽灯照明将成为现实。 相似文献
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用氢等离子体腐蚀了半导体材料(如:GaAs、GaSb、InP、Si等)及其氧化物和氮化硅的表面。采用光谱椭圆仪、俄歇波谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等综合分析技术,研究了刻蚀速率、表面组分和形态。实验证明:氢等离子体对于SiO_2上的硅和GaAs上的GaAs氧化物的选择刻蚀速率分别为30和2左右。还表明,经氢等离子体腐蚀的(曝露在空气中)GaAs表面上Ga/As的浓度比近似等于GaAs空气解理面上的Ga/As的浓度比。对于GaSb也得到了类似的结果。氢等离子体腐蚀过的InP表面呈现出偏析现象,即富In的表面结构。椭圆仪和电子显微镜测量的结果表明:半导体及其氧化物的腐蚀速率与被蚀物质的种类有关,对不同种类的化合物,腐蚀速率有几个数量级的差别。实验还证明:扫描椭圆仪可以用于表面腐蚀过程的监控。讨论了使用氢等离子体对材料表面制备的一些优缺点及在刻蚀方面的应用。 相似文献
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本文针对工程设计中存在的几个技术难点进行探讨,提出了观点和依据,并介绍了计算方法。通过解读相关国家标准,并结合工程设计经验,解决了额定容量、额定电压和柜体通风量计算等设计难点,能指导工厂技术人员进行就地补偿柜式并联电容器装置设计。 相似文献