带直流漂移校正的低功耗可编程增益放大器

设计了一种应用于无线传感器网络RF射频前端芯片的可编程增益放大器(PGA).该放大器由三级增益单元级联构成,每级单元均带直流漂移校正功能,7位数字端控制增益变化,且可灵活切断单级电源,降低PGA整体功耗.设计基于SMIC 0.18μm 1.8V 1P6M CMOS工艺.流片测试结果表明,该放大器工作性能良好,动态范围为...     

加速自校正直流漂移的可编程增益放大器

设计了一种应用于移动数字多媒体广播系统终端的可编程增益放大器.该可编程增益放大器采用源极反馈电阻可变的差分放大器结构,且带有直流漂移校正电路.分析了校正直流漂移时间的决定因素,通过采用双带宽切换的方法加速校正过程.分析了引发输出直流漂移发生变化的因素,设计了增益控制信号触发的双带宽控制信号发生电路.可编程增益放大器采用TSMC 0.25μm CMOS工艺.仿真结果表明,放大器的动态范围为30~84db,2db步进,对输入直流漂移的校正效果为-21.45db,加速后的直流漂移校正时间约15μs.     

基于功能覆盖率的MAC的UVM验证

论文基于UVM验证方法学,以及覆盖率驱动的芯片验证指导思想,搭建并分析了高度可重用的以太网控制器IP的验证平台.为了提高验证效率,论文对MAC的工作流程进行了研究,对其功能点进行了划分,针对性地编写了测试用例.在测试用例的驱动下,对MAC的数据收发功能进行了全流程的仿真验证.在大规模随机测试用例和定向测试用例的共同作用下,加快了验证所需要的时间,节省了仿真所需的计算机资源,达到了功能覆盖率100％的目标.     

一种基于相位校正技术的甚高频射频可编程放大器

This paper presents a VHF(30-300 MHz) RF programmable gain amplifier(PGA) with an adaptive phase correction technique.The proposed technique effectively mitigates phase errors over the VHF band,and the RFPGA as a whole satisfies all the specifications of the China mobile multimedia broadcasting VHF band applications.The RFPGA is implemented with a TSMC 0.25μm CMOS process.Measurement results reveal a gain range of around 61 dB,an ⅡP3 of-7 dBm at maximum gain,a power consumption of 10.2 mA at maximum gain,and a phase imbalance of less than 0.3 degrees.     

利用简单电阻偏置网络实现的高线性度电流驱动型无源混频器

A high linearity current communicating passive mixer including the mixing cell and transimpedance amplifier(TIA) is introduced.It employs the resistor in the TIA to reduce the source voltage and the gate voltage of the mixing cell.The optimum linearity and the maximum symmetric switching operation are obtained at the same time.The mixer is implemented in a 0.25μm CMOS process.The test shows that it achieves an input third-order intercept point of 13.32 dBm,conversion gain of 5.52 dB,and a single sideband noise figure of 20 dB.     

1．3～2．2 GHz低噪声低功耗 CMOS LC VCO的设计

基于TSMC 0．18μm RFCMOS工艺,设计并实现了一个宽带低功耗低相位噪声的高性能压控振荡器（VCO）．为实现1．3～2．2 GHz调谐范围,VCO采用7‐bit（128根调谐曲线）固定电容阵列,同时也获得了超低的增益,降低了相位噪声．为弱化宽调谐范围带来的增益波动,VCO采用3‐bit可变电容阵列来提升低带曲线的斜率,以期与高带一致．为实现每根曲线的宽线性范围,可变电容采用分布式偏置电压技术．为降低相位噪声,还提出了一种输出零偏置架构以及电流源噪声滤除技术．测试结果表明,调谐电压的线性范围为0．2～1．6 V ;VCO输出频率范围为1．3～2．17 GHz ;高带调谐曲线叠合超过50％,低带超过80％;VCO增益仅为19 M Hz／V ;增益波动范围为13～25 M Hz／V ．当振荡频率为1312 M Hz ,1 M Hz 频偏处相位噪声为－116．53 dBc／Hz ;当振荡频率为2152 M Hz ,1 M Hz频偏处相噪为－112．78 dBc／Hz ．VCO功耗电流为1．2～3．2 mA ,电源电压为1．8 V ．提出的VCO既能提供51％的频率覆盖,又能实现低相位噪声,已经被成功应用于工业自动化无线传感网（WIA ）射频收发机芯片中．     

38 nm NAND闪存可靠性评估关键问题研究

通过提取阈值电压变化,研究了温度、连续读操作和α粒子辐射三种应力因子对38 nm SLC NAND闪存产品的可靠性影响。结果表明,温度和α粒子引起阈值电压的退化呈幂数规律,连续读操作则仅造成随机波动;低温(75 ℃)时,数据保持时间偏离激活能曲线的原因可能源于隧穿氧化层中的氟离子;单个存储单元晶体管级别的读噪声相比芯片整体更大。α粒子辐射可以诱发低水平的软错误几率。该研究结果为产品可靠性计划的制定和改善提供了重要依据。     

U波段小数分频锁相环型频率综合器

使用0.18μm1.8VCMOS工艺实现了U波段小数分频锁相环型频率综合器,除压控振荡器(VCO)的调谐电感和锁相环路的无源滤波器外,其他模块都集成在片内。锁相环采用了带有开关电容阵列(SCA)的LC-VCO实现了宽频范围,使用3阶MASHΔ-Σ调制技术进行噪声整形降低了带内噪声。测试结果表明,频率综合器频率范围达到650～920MHz;波段内偏离中心频率100kHz处的相位噪声为-82dBc/Hz,1MHz处的相位噪声为-121dBc/Hz;最小频率分辨率为15Hz;在1.8V工作电压下,功耗为22mW。     

一种用于大规模无线传感网RF前端电路的dB线性可编程增益放大器

设计了一种应用于大规模无线传感网RF前端芯片的数字控制CMOS可编程增益放大器(PGA).该放大器采用五级增益单元级联结构,每个增益单元采用了固定增益放大器加可编程衰减器的结构,且具有直流漂移抑制功能.增益的变化通过两步完成,R-2R梯形电阻网络实现6dB增益步进,而0.75dB步进由串行电阻网络来完成.后仿真结果表明,放大器的动态范围为10～88dB,0.75dB步进,增益精确度为0.7mdB,最大增益下输出三阶交调点为16.1dBm.可编程增益放大器采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺实现,核面积约为0.08mm2.     

一种高分辨率∑△小数分频频率合成器

提出了一种采用新型分频器的小数分频频率合成器。该频率合成器与传统的小数分频频率合成器相比具有稳定时间快、工作频率高和频率分辨率高的优点。设计基于TSMC0.25μm2.5V1P5MCMOS工艺,采用sig-ma-delta调制的方法实现。经测量得到该频率合器工作频率在2.400～2.850GHz之间,相位噪声低于-95dBc/Hz@100kHz,最小频率步进小于30Hz,开关时间小于50μs,满足多数无线通信系统的要求。