有一级负荷时的供配电系统设计的探讨

目前指导电气设计的除了现行的国家规范（GB）外，还有国家行业规范（如JGJ…等）、技术措施等，这些规范、标准、技术措施中的条文基本上是协调一致的，但亦有个别的规定有明显的差异，使设计人员在设计中难于执行或感到困惑。本文对其中一些问题进行了探讨。     

高温退火对Hg_(1-x)Cd_xTe横向组份分布的影响

前言本文讨论了“Te溶剂法”制备的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体中产生晶体横向组份分布分散性的主要原因。为了改善这种分散性,选取样品温度～600~C,Hg源温度～460—370℃,退火热处理12天的条件,对不同样品在负Hg压下进行高温退火热处理。电子探针显微分析结果表明,样品横向组份的最大偏差和平均偏差均有所降低,其中Cd克分子数的平均偏差由退火前的0.005克分子数降低为0.002克分子。同时还给出当Hg源温度≤300℃时退火处理的一些实验结果并作了简单的讨论。     

Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的生长和性质

本文研究了在开管滑移系统中由富Te溶液生长较低x值(0.2—0.3)的碲镉汞(Hg_(1-x)C_(dx)Te)外延薄层问题。提出一种具有独到特色的半封闭滑移接触系统,使我们有可能在大气压下生长出低x值的材料。采用Cd_(1-y)Zn_yTe和Hg_(1-x)Cd_xTe衬底替代CdTe衬底,改善了薄膜的质量。讨论了衬底的影响和生长过程,同时给出位于较低温度处的固相线。原生外延层是p型的,77K时,空穴浓度约为1×10~(17)厘米~(-3),空穴迁移率为300厘米~2伏~(-1)秒~(-1),过剩少子寿命为3毫微秒。     

龚嘴水电站发电机组进水口 拦污栅栅型选择

针对龚嘴水电站机组进水口拦污栅在实际使用中存在的问题,结合水电站所处地理位置、河流水文和环境实际情况,提出了对该进水口拦污栅结构进行改进的措施。据此,在不减少拦污栅过流能力的情况下,使其强度、稳定性均有较大提高     

龚嘴水电站尾水管补气模型试验研究

针对龚嘴水电站增容改造后在低负荷状态运行时存在压力脉动和噪声较大的问题,采用大轴中心孔补气模型试验方法,在1号机组开展顶盖强迫补气试验,并在真机上进行了验证。试验结果表明:选择合适的相对补气量时,压力脉动的混频和主频相对幅值均显著下降,对降低部分负荷区域的压力脉动和噪声具有很好的效果。该方法对其他中低水头电站的尾水管补气措施有一定参考价值。     

设备故障早期预警系统在水电机组检修中的应用

针对目前水电设备检测手段单一的现状,在水电厂已有各项监测系统的基础上,基于实时数据挖掘技术和"相似度曲线"预警技术,开发了水电设备故障早期预警系统。该系统充分利用现有机组运行数据及所积累的检修经验,将传统的故障事后处理模式转变为更加主动的事前预防模式,实现了水电设备的安全状态定量评估和长周期的安全稳定运行分析。该系统的应用极大地提高了水电设备检修和运行管理的效率。     

富Te相HgZnTe液相线温度研究

用改进的直接观察法(MDO)及差热分析法(DTA),首次测量了组分为0.75≤y≤0.85,0.01≤z≤0.03的富Te相(Hg_(1-z)Zn_z)_(1-y)Te_y的液相线温度,并对实验结果进行了讨论。     

利用Hg压控制生长溶液的Hg_(1-x)Cd_xTe滑移接触液相外延

制备均匀的接近完整的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶非常困难,其主要原因是Hg的蒸汽压高。然而,用外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄层得到基本上质量较高的材料却具有很大的潜力。采用一种新的、开管、水平滑移接触型液相外延(LPE)生长工艺,在这种工艺中,利用Hg压控制生长溶液,并证明了生长溶液的组份得到了高度的控制。在CdTe衬底上生长了Hg_(1-x)Cd_xTe的液相外延层,用光学输运测量和电子显微镜探针测量,进一步证实了外延层的高质量。薄层厚度均匀,通过改变过冷度或生长时间,层厚在5到40微米间变化。在原生长位置上退火的样品,77K下测量的结果是:电子载流子浓度低至8.6×10~(15)/厘米~3,电子的霍尔迁移率可达到2.8×10~5厘米/伏·秒。     

“碲溶剂法”制备碲镉汞晶体的生长机理

前言用 Te 作溶剂制备碲镉汞(以下简称 MCT)品体的方法是一种改进的垂直区熔法。利用这种方法制备 MCT 晶体的晶体生长中包括有:凝固过程和输运过程。凝固过程主要是:作为溶质的 MCT,在一定条件下,从溶液中退溶—成核和长晶;输运过程主要是:作为生长晶体的材料 MCT 多晶锭,在一定条件下脱熔,并作为溶质溶解在溶剂中,以及溶质在溶液中的扩散。该方法与一般从“溶剂法”中进行晶体生长不同之处是:输运过程的存在和凝固过程对输运过程的限制。作为一种改进的区熔法,正是利用了凝固过程对输运过程的限制这一