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陈凯轩 《固体电子学研究与进展》2013,33(4):355-358
对具有渐变式折射率分布布拉格反射层(GRIN-DBR)的发光二极管进行了研究。研究发现,在传统分布布拉格反射层(C-DBR)的AlAs/Al0.45Ga0.55As的界面处插入5nm厚的折射率渐变层,可以使DBR的反射带宽从82nm增加到103nm。在20mA注入电流下,具有GRIN-DBR的发光二极管与具有C-DBR的发光二极管的正向电压没有明显区别,而其光通量比具有C-DBR的发光二极管高8%。 相似文献
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对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管进行了研究。研究发现,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量,从而减小850nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻。此外,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层还可以避免在多量子阱(MQW)有源区中形成非辐射复合中心,从而提高850nm红外发光二极管的亮度和寿命。 相似文献
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通过在传统ITO+DBR膜系结构基础上令电极金属与DBR层形成ODR(全角反射镜)膜系结构的方法,设计并制备了具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管,有效提高了LED芯片的光效。ODR结构由DBR(分布布拉格反射镜)层上联接芯粒的电极金属和DBR层组成,经过理论分析和计算,与传统ITO+DBR结构器件相比,在400～550nm波长范围、全角度入射时平均反射率Rave从86.25%提升到了96.71%。实验制备了传统ITO+DBR结构和ODR结构的3颗芯粒串联的高压倒装氮化镓基LED器件,尺寸为0.2mm×0.66mm,ODR结构器件的有效反射结构面积增加了4.8%,饱和电流增加了12mA,用3030支架封装后在30mA的测试电流下,电压降低了0.163V,辐射功率提升了3.78%,在显色指数均为71时光效提升了5.42%。 相似文献
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