S波段GaN大功率放大器的设计与实现

本文介绍了基于新型GaN宽禁带半导体材料的大功率器件的特点和优势,采用微波仿真软件ADS对一款S波段的GaNMOSFET进行优化仿真设计,得到了良好的仿真结果,并给出了该功放的实物和测试数据。测试结果表明,该功放适用于2．1～2．7GHz,功率量级为IOOW,连续波和脉冲制式均可工作,对GaNMOSFET功率器件高增益...     

基于GaN宽带管芯的X波段功放设计

本文在无大信号模型和静态I-V曲线下,应用小信号S参数,power tuned下的负载反射系数和线性模型,得到输出阻抗,应用宽带匹配进行阻抗设计。后加载偏置对S31进行仿真,并观测对S11的影响,从而保证扼流效果并且减小对匹配电路的影响。同时应用小信号S参数和输出阻抗得出输入阻抗,保证增益的平坦性。保证了在8-12GHz下,输出驻波VSWR〈1.4,偏置隔离大于-30dB,小信号增益12.75dB,带内波动0.5dB。     

S波段收发组件功率检测系统的设计

基于单片机技术,研制了S波段收发组件功率检测系统。分析了系统的工作原理和结构组成。详细设计了微波检波器电路和数据处理程序。经过实际应用验证,检测系统不仅简化了硬件设计,提高了可靠性和电磁兼容性,而且满足了多组件正常工作时的功率监测要求,具有很好的实用价值。     

一种新型Ka波段八路功率分配/合成网络的设计

本文提出了一种新型的Ka波段波导功率分配/合成网络,该功分合成器采用一个两路ET和两个四路H-T、E-T相结合的新型四路功分器来实现八路功率分配或者功率合成。由于该结构的对称性使得功率分配后各个支路具有良好的幅相一致性,有利于实现较高的合成效率。另外,此网络形式结构紧凑、插损小,使得其在毫米波发射机中具有良好的应用前景。     

浅析取保候审制度在实践中完善

取保候审制度,是我国法律制度中的一种刑事强制措施,他的立法设置和正确实施对于司法机关依法办案,保障人权,节约资源,构建和谐社会有着重要作用,在司法实践中需要不断完善.     

C波段600W固态发射机的研制

介绍一种新研制成功的高功率跟踪雷达发射机,该发射机综合了我们先前研制的同类固态发射机的优势,采用4个200 W末级功率模块进行功率合成,获得600 W以上的峰值功率,其最大脉冲宽度为120μs,最大占空比为40%。实测结果表明,无论是输出功率、体积尺寸还是可靠性方面都有了很大的提高。     

一种Ku波段固态功率放大模块的设计

文中介绍了一种Ku波段固态功率放大模块的研制思路,详细阐述了功率放大链路的组成方案,以及基于波导E面T型分支和H面波导裂缝电桥的混合式4路功分/合成网络的设计方法。制作了实物样机并进行了相关测试,结果表明模块在Ku波段14%的相对带宽范围内可实现大于130W的脉冲输出功率,合成效率大于90. 2%,验证了设计方法的正确性和有效性。     

Ku波段300W固态发射机的研制

介绍一种新成功研制的Ku波段固态发射机,该发射机采用波导合成技术,对4个80w末级功率模块进行功率合成,获得300W以上的峰值功率,发射机最大脉冲宽度为120μs,最大占空比为30％,合成效率大于93．7％。