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发光二极管(LED)芯片反射电极中铝的稳定性对芯片的可靠性至关重要,少量铜的加入可改善铝的耐电流性.理论计算了电子柬蒸镀沉积时,镀源和镀膜中铜质量分数的对应关系.对纯铝和不同铜质量分数的铝铜合金进行了金属线耐电流测试和薄膜反射率测试,并对纯铝或铝铜合金电极的LED芯片进行了老化测试.结果表明,相对于纯铝电极结构,铜质量分数为2%的铝铜合金电极在几乎不影响反射率的前提下,可显著提高电极的耐电流性能.以铝铜合金为电极的LED芯片在老化过程中,可有效阻止铝的电迁移,从而显著提升了LED芯片的可靠性. 相似文献
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触.研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响.结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33 Ω/口和93.1%,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3%;氧气体积流量为1 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为70 Ω/口和95.9%,LED芯片的电流扩展不佳,其正向电压较高,电光转换效率为43.8%;氧气体积流量为0.4 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为58 Ω/口和95.4%,LED芯片的电流扩展最佳,其亮度最高、正向电压最低,电光转换效率较高,为52.9%. 相似文献
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