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1.
本文应用平均键能理化和形变势方法对理想的Si-GaAs(001)异质界面的价带不连续性进行了理论确定,全面分析了应变的静流体分量和单轴分量所起的作用,以及阳离子浅d轨道的影响.得出了Si-GaAs(001)系统的各价带能量不连续值与弹性应变的定量关系,并对结果进行了讨论.  相似文献   
2.
用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (~ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品 ,在室温条件且在高于 1.2 e V以上的能量范围内观察到了 PL谱。随着量子点尺寸的减少 ,PL谱的光学吸收限移向高能方向。 PL谱的峰值能呈现大幅度的 (约 0 .9e V)斯塔克移动 ,并且 PL谱的强度几乎与温度无关 ,说明发光来自与局域能级相关联的发光和复合过程。  相似文献   
3.
A typical GaInP/GaInAs/Ge tandem solar cell structure operating under AM0 illumination is proposed, and the current-voltage curves are calculated for different recombination velocities at both front and back-surfaces of the three subcells by using a theoretical model including optical and electrical modules. It is found that the surface recombination at the top GaInP cell is the main limitation for obtaining high efficiency tandem solar cells.  相似文献   
4.
界面复合是影响串联叠层太阳能电池效率的主要因素之一,详细分析和计算界面复合效应对理解光伏器件的性能是必要的.本文给出一个典型的GaInP/GaInAs/Ge 叠层太阳电池结构,在AM0辐照光谱工作条件下,通过包括光学和电学模块的理论模型计算了三个子电池正面、背面复合速率对叠层电池电流-电压特性曲线的影响.研究表明,GaInP顶电池界面复合是获得高效率叠层太阳能电池的主要限制因素。  相似文献   
5.
应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,本文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,得出同时包含几个不同阱宽的InGaAs/GaAs量子阶结构的重要参数,其检测结果与光致发光(PL)、透射电子显微镜(TEM)等方法的测试结果基本一致,表明X射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法.  相似文献   
6.
讨论应变层异质结价带偏移的剪裁、设计方法,研究Si/Ge应变层异质结价带偏移设计参数与应变条件的关系,基于异质结中平均键能“对齐”,得到适用于Si/Ge异质结价带偏移剪裁与设计的计算公式和图表。  相似文献   
7.
超晶格分子层中的键能和平均键能的研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
本文基于LMTO-ASA能带计算中的交叠球近似,提出一种计算超晶格中分子层的成键态能量E_b、反成键态能量E_s和平均键能E_h的方法.研究GaP、Si构成(GaP)_1(SiSi)_1(001)前后,其界面附近的E_b、E_s和E_h值的变化情况.得出异质结界面两侧平均键能E_h相互“对齐”的数值结果,讨论了“对齐”的机制等有关问题.  相似文献   
8.
GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。  相似文献   
9.
报告了准二维天然超晶格物质η-Mo4O11(在105K和35K呈现两次电荷密度波转变)在温度4.2-300K,脉冲磁场40T范围内的输运性质。动态和静态的温度特性均在转变温度附近呈现出明显异常。对其高压下的特性也作了报道。  相似文献   
10.
国家助学贷款已成为资助高校贫困生的主渠道,推进国家助学贷款工作,呼唤创新高校诚信教育,强化诚信教育应作为大学生思想道德教育的突破口,加强信用管理须设为防范贷款风险的"防火墙"。  相似文献   
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