基于遗传算法的静态逻辑拓扑设计

设计了一种遗传算法,在使用较短通路情况下实现了链路和节点的负载均衡. 在算法中采用了自然数编码、随机选取种群、简单的“双亲单子”交叉策略和固定的突变概率. 以美国国家自然科学基金网络为例进行了仿真. 对目标函数中的权值进行了讨论,分析了适应性函数值与遗传代数之间的关系,对种群选取范围与适应性函数之间的关系进行了验证.     

纤锌矿结构GaAs(1010)表面特性的第一性原理研究

GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了GaGa和AsAs二聚体,表面能为63.5×1020meV/m2。相对于ZB(110)表面,WZ(1010)A面具有更低的表面能,(1010)A表面具有更好的稳定性,说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。     

晶片表面几何特性对键合的影响

由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论．     

Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析

利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果.最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考.     

GaAs/InP低温晶片键合的研究

将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380 ℃)晶片键合.并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析.     

光子晶体光纤与普通单模光纤之间耦合损耗的理论分析

利用有效折射率模型对光子晶体光纤与普通单模光纤的耦合损耗进行了理论分析,得到了耦合损耗与光子晶体光纤结构参量、波长之间的依赖关系,确定了取得最优耦合的光子晶体光纤的结构参量。     

光通信用塑料光纤及其系统应用

详细分析了塑料光纤的结构、特性以及其相关通信系统网络组件;分析了应用质子注入技术可以解决塑料光纤通信系统光探测器光敏面积和响应带宽之间的矛盾;最后通过最新的塑料光纤通信系统应用总结了塑料光纤的现状,讨论了POF通信系统其面临的问题。     

室温晶片键合界面的弹性理论分析

利用接触弹性力学的DMT(Derjaguin,Muller,Toporov)理论,考虑晶片表面起伏的随机性,导出了晶片键合的实际接触面积和有效键合能。并对结果进行了数值分析。讨论了影响室温键合强度大小的各种因素。     

自动交换光网络的结构体系和控制平面功能结构的研究

对由传统的光网络向自动交换光网络的必然趋势进行了必要分析；重点介绍了自动交换光网络的体系结构、网络结构、功能特点、控制平面的功能构件、接口技术以及实现ASON控制平面的关键控制协议规范，对需要研究的主要问题进行了分析。