台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5 Wcm2.接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au.利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡...     

磁场中铸造的铝合金铸锭的显微组织特征

本文探讨了LY12合金及低磁化率铝合金在磁场中铸造成锭的显微组织特征.与无磁场条件铸造的相比较表明,磁场铸造对上述合金的显微组织有明显的影响.铸态组织中的化合物相(θ或θ S等)的一部分呈规则的球状分布于α晶粒内部,另一部分则呈不连续块状分布于晶界上,化合物的形态及浸蚀特征与挤压棒材经过热处理后组织中的化合物相类似,而与铸态的网络状分布于晶界上的化合物相有明显的差异.在垂直于磁场的截面上,显微组织无明显的枝晶网胞组织特征,而等轴晶的晶界非常清晰;在平行于磁场的截面上,有类似于胞状组织中网胞之间化合物分布的特点,然而观察不到网胞间那种因成分的差别被浸蚀后显现出的暗影区.铸锭经过固溶处理及时效后,合金组织中出现弥散质点,此种质点在高倍金相图片上非常清楚,但是在电镜照片上则不易观察到.     

Al—Cu—Zn—Mg合金板材的T351和T851处理

将Al-(4.0～7.0)％Zn-(5.0～6.0)％Cu-(0.8～1.4)％Mg的铝合金板材作T6(465℃固溶40分后水淬再150℃时效)、T851或T351形变热处理(465℃淬火后经3％冷形变,然后进行150℃人工时效或室温下自然时效)后,发现形变热处理的板材,其抗拉强度、屈服强度和延伸率均优于T6处理的。     

基于ANSYS的超声振动辅助气中放电加工材料去除率计算

建立了超声振动辅助气中放电加工的有限元模型,使用ANSYS分析软件对其温度场进行了数值模拟,计算出了仿真条件下的材料去除率,并通过加工试验验证了模拟结果,发现与试验结果吻合较好。结果表明,用ANSYS来计算超声振动辅助气中放电加工的材料去除率是一种行之有效的方法。     

“K,C”通用公式在中频电热电容器设计中的应用

本刊前几期已讨论过,设计电力电容器用原材料额定值计算电容时,由于原材料实测值的平均值与额定值相差甚远及其他电容增大因素,使产品实测值有超出容差的可能,为了使产品电容不超出容差范围,提高产品合格率,各单位都采用了一定补救办法,如有的单位每月根据纸样实测的厚度,密度重新计算电容,改变元件圈数,或改变芯子中填充衬垫数,向卷制元件车间提供配纸方案,十分费事。根据本人工作     

“KC”公式在电力电容器生产中的应用

电力电容器生产的第一道工序是卷制元件,在卷制元件过程中,经常会发生下列情况:元件圈数错误;芯轴用错;铝箔规格不对,极间介质与图样不符等等。当发生上述影响元件电容大小的质量问题时,采用目前一套计算电容的方法来计算及得出如何处理     

再谈生产干式全膜电力电容器

目前，元件为扁平状，油浸式全膜电力电容器和自愈式金属化膜电容器已生产多年，唯有元件为扁平状，干式全膜电力电容器，因压紧系数K难于控制，至今尚未生产。本人曾在2002年第一期《电力电容器》杂志上发表文章指出：在电力电容器生产过程中，可以控制压紧系数K=1，从而可以生产干式全膜电力电容器。     

背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器

在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32?32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能。结果表明,温度高于220K时吸收层材料热激活能为0.443eV,300K时在所考虑的偏压范围内,暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成。对组件焦平面特性也进行了研究,并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容,在测试温度范围内约为10fF左右。     

退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用

采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。