汤川强作用常数的跑动性质及估算方法

将逻辑力学原理中的强作用势函数与汤川势作比较，给出了汤川强作用常数的一种解析表达式。在核力力程上用该表达式计算出的强作用常数与实验测定值吻合较好。分析了汤川强作用常数的“渐近自由”或者说“跑动性质”。     

CTAB辅助水热合成花状氧化锌及其光催化性能

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为添加剂,利用低温水热法合成花状纳米氧化锌,研究CTAB对纳米ZnO粉体结构与光学性能的影响.同时考察花状纳米ZnO对甲基橙(MO)溶液的降解效果.研究结果表明,当反应中无CTAB时,所合成产物主要为纳米片状结构;当反应中引入适量的CTAB时,产物则为均匀的纳米花状结构.花状纳米ZnO对甲基橙溶液具有较好的催化活性,当光催化反应进行120min时,对MO降解率高达93%以上.     

表面活性剂PEG400辅助超声化学法合成纳米氧化锌

以PEG400为表面活性剂,通过超声化学法制备片状结构的纳米氧化锌,研究了PEG400的投加量对纳米ZnO粉体性能的影响,并对不同投加量所制备的纳米粉体光学性能进行分析,同时探讨了PEG400的作用机理.结果表明,未添加PEG400时,所合成的产物主要呈现为纳米针所组成的花状结构,随着PEG400投加量的不断提高,产物逐渐转化为均匀的纳米片状结构,该片状结构具有较强的紫外发光性能.     

多层膜晶界和膜界间竞比变形及其对硬度测量的影响

使用磁控溅射法制备了不同调制波长的Ni/Al多层膜,利用X射线衍射(XRD)和高分辨电子显微术(HRTEM)对薄膜进行了微结构表征,采用连续刚度法(CSM)研究了不同压入深度下多层膜的硬度.结果表明,随调制波长减小,薄膜呈纳米晶结构特征且存在超硬效应.调制波长L大于30nm时,纳米压入硬度随压入深度的增加而升高;L小于30nm时,最大压入深度的硬度测量值反而最小.同时发现压入深度较小时硬度相对大小对调制波长不敏感.结合微结构表征,从晶界和膜界的竞比变形角度进行了分析讨论.     

巨介电常数陶瓷CaCu3Ti4O12的研究进展

CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性,这使得CCTO可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了CCTO高介电常数起源的内禀机制和外禀机制,详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响,阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联,肯定了晶粒电导赝极化理论,指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于:基于外禀机制的IBLC模型,通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导,进而调控CCTO的介电损耗,使CCTO保持较高介电常数的前提下,在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。     

退火温度对ZnO薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向ZnO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、双光束紫外可见分光光度计等仪器分析了退火温度对ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,在射频功率为100W时所制备的ZnO薄膜,当退火温度为600℃时,能获得最佳c轴取向和最小半高宽,此时ZnO薄膜具有较低的表面粗糙度和较高的透射率.     

ZnO的点缺陷结构与p型化转变的研究进展

ZnO是一种典型的直带隙宽禁带半导体材料,是下一代光电材料的代表.但由于P型化转变困难,使ZnO在光电领域的应用受到了极大限制.系统分析了ZnO的本征点缺陷结构和P型化转变方面的理论和实验研究成果,认为ZnO的n型电导应起源于本征点缺陷Zn或Vo.通过V族元素实现P型化转变的关键在于其稳定性,因此通过亚稳的点缺陷之间的相互作用实现相对较稳定的p-ZnO是V族元素掺杂实现P型化转变的研究方向.考虑到I族元素在ZnO中的固溶度较高且受主能级较浅,通过I族元素的掺杂实现高电导p-ZnO也是实现P型化转变的思路;但是Ⅰ族元素的掺杂会引起严重的自补偿,因此实现I族元素在ZnO晶格中的定位是Ⅰ族元素掺杂实现P型化转变的研究方向.     

界面构型对二芳烯分子光开关特性的影响

以噻吩环连接二芳烯为研究对象,利用第一性原理计算方法和非平衡格林函数理论,研究了界面结构的改变对分子光开关特性的影响.计算结果表明,小偏压下通过闭环态体系的电流远大于通过开环态体系的电流,说明小偏压下二芳烯体系的开关行为是稳定的.界面结构的改变会影响分子的电子结构,从而影响分子体系的电输运特性;空位的连接方式比间位和顶位的连接方式更加有利于分子开关比的提高.     

沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

采用RF磁控溅射法，在单晶硅衬底上生长出高质量的（002）晶面取向的ZnO薄膜．利用X射线衍射分析（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光栅光谱仪等技术研究了沉积温度对ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和发光性能的影响．研究结果表明，在射频功率为100W时所制备的ZnO薄膜当沉积温度为500℃时能获得最佳的c轴取向和最小半高宽，此时ZnO薄膜具有较小的压应力和较好的紫外发光性．     

Co掺杂ZnO微/纳米纤维的制备及其光催化性能

以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为络合剂,与醋酸锌(Zn(CH3COO)2)和乙酸钴(Co(CH3COO)2)反应制得前驱体溶液.采用静电纺丝法制备了PVP/Zn(CH3COO)2/Co(CH3COO)2复合微/纳米纤维,经过高温煅烧得到Co掺杂ZnO微/纳米纤维.采用热重分析(TG)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对其进行了表征.以甲基橙模拟有机污染物,考察紫外光照射下所得Co掺杂ZnO微/纳米纤维的降解效果.实验结果表明,所制备的Co掺杂ZnO微纳米纤维对甲基橙溶液具有良好的光催化性能,在光照80min后降解率可达93%.