脉冲激光烧蚀过程中阻尼系数的角度分布

采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在半圆环衬底上制备了含有纳米晶粒的硅(Si)晶薄膜。分析了纳米Si晶粒尺寸和阻尼系数随角度和压强的变化关系。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪(Raman)对其表面形貌和结构进行了表征。结果表明,在压强一定的情况下,纳米Si晶粒的尺寸和阻尼系数均相对于轴向呈对称分布,并随着偏离轴向角度的增加而减小;同时随着压强增大,晶粒尺寸和阻尼系数在各个角度处的值均增大。     

立方体溴化银颗粒光谱增感的电子转移超快动力学研究

本文利用皮秒时间分辨条纹相机技术检测了3种染料在立方颗粒溴化银上吸附后形成聚集体的荧光光谱,分析了3种染料在不同染料浓度下对染料聚集体到溴化银导带的超快电子转移过程的影响,进而分析其对增感效率的影响关系,并探讨了增感过程的微观机理.实验结果表明,荧光衰减的动力学曲线与一个双指数函数拟合得相当好,存在一快一慢两个衰减成分,快衰减成分占拟合较大比例,表明其源于与荧光衰减相竞争的从激发态染料聚集体到AgBr导带的电子转移.光致电子转移的速率及增感效率随着染料相对浓度的增加表现出一定的变化趋势,染料浓度增加,增感效率减小.     

曝光强度对卤化银微晶中载流子行为及其陷阱效应的影响

针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题，分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响，认为伴随着曝光强度的增加，影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用．     

镁质轻体保温块

吉林建筑工程学院与长春客车厂联合进行的“镁质轻体保温块”的研究获得成功。于1988年10月28日通过了省级技术鉴定。鉴定认为:镁质轻体保温块质量可靠,符合屋面保温材料的技术要求。其抗压强度、导热系数,吸湿率和吸水率等技术指标,达到了国内同类制品的先进水平,为吉林省填补了空白,并首先用于     

碘分子BпOu+态荧光激发谱研究

本文以染料激光器的输出激发碘分子,采用荧光激发谱技术对碘分子BпOu+态进行了实验研究,对所得荧光激发谱进行了标识,在此基础上计算了碘分子该态的分子常数,与理论值符合较好。     

放电等离子体中XeI准分子的形成过程

研究了Xe/I2 混合气体 (气压 70～ 1330Pa)在直流辉光放电情况下XeI 准分子的形成过程 ,得到了XeI 准分子在 2 40～ 2 70nm波长范围内的荧光发射谱。并对XeI (B→X)跃迁谱线强度随混合气体压力的变化进行了实验研究 ,发现气压为 333Pa时荧光最强 ;此条件下 ,放电等离子体的电子温度为 13 2eV ,表明低气压放电等离子体中主要反应通道为快电子碰撞Xe使其跃迁至 3 P ,随之与I2 碰撞形成 XeI(A ,B ,C)。     

环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

采用脉冲激光烧蚀装置,在不同环境气体下,沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌,并对晶粒尺寸进行统计分析,发现不同环境气体下,纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大后减小的规律;通过分析比较,同等条件下Ne气环境下制备的纳米Si晶粒平均尺寸最小.     

脉冲激光退火纳米碳化硅薄膜的拉曼散射研究

采用XeCl准分子激光实现了碳化硅薄膜的脉冲激光晶化,对退火前后薄膜样品拉曼散射谱特征进行了分析,探讨了激光能量密度对纳米碳化硅薄膜结构和物相特性的影响.结果显示晶态纳米碳化硅薄膜的拉曼散射峰相对体材料的特征峰显著宽化和红移,并显示了伴随退火过程存在着硅和碳的物相分凝现象.随着激光能量密度的增大,薄膜的晶化度提高,晶化颗粒增大,而伴随的分凝程度逐渐减小.     

纳米6H-SiC薄膜的等离子体化学气相沉积及其紫外发光

采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下,所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiC TO声子吸收,X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构.采用氙灯作为激发光源,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光.