A low-power 10-bit 250-KSPS cyclic ADC with offset and mismatch correction

A low power 10-bit 250-k sample per second(KSPS) cyclic analog to digital converter(ADC) is presented. The ADC’s offset errors are successfully cancelled out through the proper choice of a capacitor switching sequence.The improved redundant signed digit algorithm used in the ADC can tolerate high levels of the comparator’s offset errors and switched capacitor mismatch errors.With this structure,it has the advantages of simple circuit configuration,small chip area and low power dissipation.The cyclic ADC manufactured with the Chartered 0.35μm 2P4M process shows a 58.5 dB signal to noise and distortion ratio and a 9.4 bit effective number of bits at a 250 KSPS sample rate.It dissipates 0.72 mW with a 3.3 V power supply and occupies dimensions of 0.42×0.68 mm~2.     

衬底温度对AZO/Cu/AZO多层薄膜结构及光电特性的影响

采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的AZO/Cu/AZO多层薄膜.研究了衬底温度对薄膜的结构和光电特性影响.X射线衍射谱表明AZO/Cu/AZO多层薄膜是多晶膜,AZO层具有六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向,Cu层具有立方结构.当三层薄膜制备过程中,衬底始终加热,衬底温度为100%℃时,制备的薄膜具有最高的品质因子2.26×10-2Ω-1,其方块电阻为11Ω·□-1,在波长500-800nm范围内平均透过率达到了87%.当制备靠近衬底的AZO层,衬底才加热时,发现衬底温度为250℃时,制备的多层薄膜光电特性最优,其方块电阻为8Ω·□-1,平均透过率为86%.     

碳纳米管场发射冷阴极的低温制备及场发射性能

利用纳米银的低温熔接性和良好导电性,研究了以纳米银取代传统的有机粘结剂和导电银浆制备CNTs场发射冷阴极的新工艺.将CNTs、纳米银、粘性松油醇和有机溶剂混合研磨后涂敷在镀Cu玻璃基片上,250℃烧结30min后,纳米银颗粒之间互相熔接,将周围的CNTs粘结成为整体膜,形成了表面平整、导电性和场发射性能良好的CNTs阴极.测量了不同纳米银掺入量的CNTs阴极的场发射性能,结果表明:当CNTs:Ag质量比率为1:1时,CNTs阴极具有最好的场发射性能,阈值电场为4.9V/μm,当电场强度为5.7V/μm时,场发射电流密度为41mA/cm2.纳米银比例过大,烧结后CNTs被熔接的银膜覆盖,高电压时场发射电流明显下降,而纳米银掺入量太少则会导致CNTs阴极的附着力和导电性变差.     

液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO3薄膜

研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3～ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0～ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 ,制备的铁电薄膜具有钙钛矿结构     

精密角位移传感器及其可靠性研究

从理论上探讨了磁阻率效应，叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达０．０１°，通过可靠性寿命试验，传感器的失效率λ（ｔ）＜１×１０－７／ｈ。     

一种新型的YSZ栅MOS氧传感器及其响应机理

ＹＳＺ栅ＭＯＳ氧传感器是一种新型的氧敏器件，它是通过在场效应晶体管的绝缘栅上沉积一薄层ＹＳＺ制成。本文介绍这种传感器的响应机理，讨论ＹＳＺ固体电解质的晶体结构对电导率的影响，给出微观分析结果和对时间的迅速响应特性。     

LSMCD技术制备镧钛酸铅薄膜

详细介绍了采用LSMCD技术制备了PLT薄膜制备流程,并对薄膜的相结构做了分析.制备PLT薄膜的最佳热处理工艺为预处理300℃,保温10分钟,然后退火至600℃,保温1小时.     

微电子机械系统(MEMS)中的铁电器件

提出了一种将铁电材料与MEMS集成的新趋势,并介绍了几种在这种趋势下应运而生的最新的微传感器和微执行器.     

纳米Fe3O4颗粒及磁性液体的制备

用低温相转化法制备了小粒径的Fe3O4纳米颗粒,用油酸对纳米颗粒进行了表面处理,溶液pH为6．90,80℃下恒温反应50～60min时磁性粉体颗粒的改性效果较好。然后将包覆颗粒分散到载液中制得磁性液体。实验中用XRD、TEM、VSM、IR光谱等对所制的样品进行了相应表征,并将UV光谱分析方法用于油酸包覆的定量评估,从而建立了磁性颗粒表面修饰的表征方法。     

真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究

以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备V O x薄膜,运用X R D(X射线衍射)和SE M(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TC R)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TC R绝对值减小。