烟气排放系统中通风量多元回归分析

本文在南京市计量监督检测院烟气排放项目的基础上,提出了基于通风量多元回归的数学模型。采集对通风量影响较大的瓦斯浓度,温度,湿度和粉尘浓度四个参数,建立了线性回归数学模型。实验证明该模型能够正确的预测出烟气排放中通风量与其它参数之间的数学关系,为企业的烟气排放提供了科学的依据。     

浅谈现代信息技术在体育教学中的应用

随着时代的发展和科学技术的进步,伴随着计算机技术与网络技术的迅速发展与普及,现代信息技术已进入人类生活的各个方面,特别是在教育教学中的应用,更加体现了教学手段的现代化,运用现代信息技术进行教学,构建起了新型教学模式,有利于提高教学质量,那么如何在体育教学中运用现代信息技术教育进行教学?本文将作些探讨。     

Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET

制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。