大规模制备定向排列的碳纳米管阵列

采用一种无模板的化学气相沉积法，在石英衬底上制备了大面积，高定向性、自支撑的碳纳米管阵列。二甲苯和二茂铁分别作为碳源和催化剂，连续进给到反应装置中，在一定温度条件下，碳纳米管自组织生成垂直于衬底方向的定向阵列。这种方法可以获得很高的生长速度，其最大长度可以达到几个毫米。拉曼光谱和高分辨透射电镜检测显示这种方法制备的碳纳米管具有较高的纯度和石墨化程度。     

纯化处理对碳纳米管2～18GHz复介电常数与复磁导率的影响

研究了纯化处理对多壁碳纳米管2～18GHz复介电常数与复磁导率的影响。纯化处理在部分频段降低了复介电常数的实部与虚部,增强了复磁导率的实部,而对复磁导率的虚部几乎没有影响。通过拉曼光谱对不同纯化处理的样品进行了表征,研究发现碳纳米管的晶化程度越好,介电常数降低和磁导率实部增强的幅度越大。     

大规模制备定向排列的碳纳米管阵列

采用一种无模板的化学气相沉积法,在石英衬底上制备了大面积,高定向性、自支撑的碳纳米管阵列.二甲苯和二茂铁分别作为碳源和催化剂,连续进给到反应装置中,在一定温度条件下,碳纳米管自组织生成垂直于衬底方向的定向阵列.这种方法可以获得很高的生长速度,其最大长度可以达到几个毫米.拉曼光谱和高分辨透射电镜检测显示这种方法制备的碳纳米管具有较高的纯度和石墨化程度.     

大规模制备定向排列的碳纳米管阵列

采用一种无模板的化学气相沉积法 ,在石英衬底上制备了大面积 ,高定向性、自支撑的碳纳米管阵列。二甲苯和二茂铁分别作为碳源和催化剂 ,连续进给到反应装置中 ,在一定温度条件下 ,碳纳米管自组织生成垂直于衬底方向的定向阵列。这种方法可以获得很高的生长速度 ,其最大长度可以达到几个毫米。拉曼光谱和高分辨透射电镜检测显示这种方法制备的碳纳米管具有较高的纯度和石墨化程度     

单壁碳纳米管在基底表面的离散生长

通过旋涂硝酸铁异丙醇溶液于P型硅表面以获得均匀分布的催化剂颗粒,以CH4为反应气体采用CVD方法即可在P型硅表面均匀生长单壁碳纳米管,并且部分碳纳米管呈直立状.研究了催化剂浓度、生长基底、反应温度对单壁碳纳米管表面生长情况的影响.研究表明,催化剂浓度升高或采用二氧化硅替代P型硅为生长基底时,都会导致单壁碳纳米管生长的密度加大,而碳纳米管长度变短且更易贴附基底表面生长;随反应温度的提高碳纳米管的生长效率降低,并使得碳纳米管更易贴附基底表面生长.采用此方法制备的生长有直立碳纳米管的硅片作为扫描基底,在原子力显微镜敲击模式下利用拾取法成功制备了碳纳米管原子力显微镜针尖.     

碳纳米管针尖制造的关键技术研究

通过理论分析得出，碳纳米管针尖的长度过长会影响其成像的稳定性的结论，然后在原子力显微镜上运用电蚀的方法对碳纳米管针尖的长度进行优化，结果显示，截短后的碳纳米管针尖能够获得稳定的高分辨率成像，从而解决了碳纳米管针尖制造中针尖长度优化这一关键技术问题。