微量Al掺杂对溅射于玻璃衬底的SnO2 薄膜结构及光学特性的影响

采用射频（RF）磁控溅射法在玻璃衬底上制备了低浓度Al掺杂（≤1mol%）的SnO₂系列薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜、紫外-红外光谱仪及光致发光（PL）实验,展现了薄膜的晶体结构及光学特性。结果表明：当Al浓度增加时,薄膜晶格常数c减小,表明Al原子成功替代Sn原子并产生了大量的氧空位。在400~800 nm的可见光范围,薄膜的平均透射率可达88%以上。当Al浓度持续增加时,由于Burstein-Moss（BM）效应使薄膜带隙增宽。此外,测量发现,在265 nm波长的光激发下,所制备薄膜的PL谱具有典型的近边带和深能级辐射发光,其峰值随Al浓度的增加而增大。     

大尺寸立方体开槽超声塑料焊接工具头的优化设计

谐振频率、频率间隔性、振幅均匀度是大尺寸超声塑料焊接工具头设计中的几个主要指标。基于工程实际,以工具头纵向长度、槽宽度及槽长度为设计变量,纵向谐振频率和频率间隔值为状态变量,振幅均匀度为目标函数,利用有限元软件ANSYS的参数化分析技术,对大尺寸立方体超声塑焊开槽工具头进行了优化设计。结果表明,该优化方法能很好地解决大尺寸超声塑焊工具头的设计问题,既提高了设计效率,也降低了设计成本。     

表面涂覆胆固醇液晶-垂直腔面发射激光器的偏振特性

利用胆固醇液晶(CLC)涂覆于垂直腔面发射激光器(VCSEL)表面,将其作为VCSEL输出偏振调控单元,测量并分析了CLC-VCSEL的I-P特性、不同抽运电流下的偏振输出特性以及功率输出稳定性。实验结果表明,同一工作温度下,CLC-VCSEL的阈值电流比单独VCSEL的阈值电流增加了0.35 m A。CLC-VCSEL的偏振态对注入电流非常敏感。当注入电流为1.4 m A时,CLC-VCSEL表现出优良的功率稳定性能,在LCLC=4.62~5.95 mm范围内,获得了有效的圆偏振光输出。     

湖南地区机制砂物理性能的分析

收集湖南地区的不同类型机制砂,对其物理性能进行测试,指标包含:颗粒级配、细度模数、石粉含量、堆积密度、表观密度、MB值、泥块含量、压碎值、表观密度、空隙率、饱和面干吸水率等,以此研究分析湖南各地区的机制砂质量情况。     

退火温度对MoS2纳米薄膜微特性及光学性能的影响

本论文使用射频磁控溅射法在硅衬底上制备不同退火温度下的MoS2薄膜,利用SEM、XRD、光谱仪等手段对薄膜的表面形貌、结构、反射率等进行表征,分析退火温度对MoS2薄膜性能的影响。研究结果表明:退火温度对MoS2薄膜表面形貌影响明显,不同退火温度会改变MoS2薄膜XRD衍射峰的位置。退火温度越高,MoS2薄膜生长质量越好,MoS2薄膜反射率越高。     

直流磁控溅射制备Zr-B-O薄膜及其热稳定性

利用直流磁控溅射技术在Si(100)基底上制备了不同偏压的Zr-B-O和Cu/Zr-B-O薄膜体系,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)等对薄膜样品的微观组织形貌和热稳定性进行表征分析.结果 表明:不同偏压得到的Zr-B-O薄膜均为非晶结构,薄膜表面平整,膜厚均匀,膜基结合良好,薄膜方阻随偏压增加而减小;当退火温度低于750℃时,Cu膜表面完整连续,方阻较小,750℃退火后,由于Cu膜严重聚集并出现孔洞导致薄膜不连续而使电阻增加,但未发生Cu与Si的扩散,说明非晶Zr-B-O薄膜仍可以有效阻挡扩散.     

玻璃衬底温度对溅射制备SnO2-Al2O3双金属元素薄膜电学及光学特性的影响研究

采用射频(RF)磁控溅射法在玻璃衬底上制备了SnO₂-Al₂O₃ (SAO) 双金属元素薄膜. 通过扫描电镜(SEM)图像,X射线衍射(XRD)图谱,四探针测量,UV-IR及光致发光(PL)谱研究了衬底温度对薄膜表面形貌,晶体微结构,电学及光学特性的影响. 当衬底温度增加时,SAO薄膜的晶粒尺寸增大. SEM图像及XRD图谱所显示的均质表面结构及大晶粒尺寸表明薄膜具有良好的表面形貌和结晶度. 在400-800nm的可见光范围,薄膜的透射率可达~80%-90%, 计算得到薄膜的带隙约4.11-4.14eV, 表面电阻约7.0 -9.4 . 通过合理选择溅射温度, 薄膜的带隙可得到增宽, 表面电阻可被降低. 测量还发现所制备SAO薄膜的PL谱在UV及红光带发光. 这种多晶SAO薄膜可用于透明导电氧化物(TCO)薄膜, 太阳能电池窗, 传感器及光发射器.