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1.
用XRD法系统地研究了PFN-PMN二元系中钙钛矿相的前驱体FeNbO4(FN)-MgNb2O6(MN)煅烧过程中的物相变化。发现,富镁的前驱体混合物在较高的煅烧温度下有富镁的Mg4Nb2O9(M4N)生成,而富铁的前驱体混合物中FN的生成,有利于抑制M4N的形成.M4N的形成与钙钛矿相煅烧产物中烧绿石相的出现有密切的关系.在MN与FN二种前驱体中,MN在大约650℃时即开始生成,而FN则需至800℃才开始生成,表明较低温度下Fe2O3的反应活性不及MgO的反应活性。  相似文献   
2.
用XRD法系统地研究了PFN-PMN二元系中钙钛矿相的前驱体FeNbO4(FN)-MgNb2O6(MN)煅烧过程中的物相变化。发现,富镁的前驱体混合物在较高的煅烧温度下有富镁的Mg4Nb2O9(M4N)生成,而富铁的前驱体混合物中FN的生成,有利于抑制M4N的形成。M4N的形成与钙钛矿相煅烧产物中烧绿石相的出现有密切的关系。在MN与FN二种前驱体中,MN在大约650℃时即开始生成,而FN则需至800℃才开始生成,表明较低温度下Fe2O3的反应尖性不及MgO的反应活性。  相似文献   
3.
改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
偏铌酸铅是一种性能很有特色却又制备困难的高温压电陶瓷材料,而采用少量Me^2+置换和微量稀有元素氧化物添杂方法,获得了压电性能和工艺性能均十分优良的改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料,并以热力学熵稳定原理,定性地解释了少量置换与微量添杂对稳定铁电相的作用,同时也对这种压电陶瓷材料的高温压电特性和高温下的应用进行了研究与试验,结果表明,这种材料是一种可以在400℃下应用的高温压电陶瓷材料。  相似文献   
4.
Pb(B1、B2)O3型弛豫铁电材料由于其优异的介电性能而日益受到关注,但是,由于烧录石相的存在,很难获得纯钙钛矿相的Pb(B1B2)O3材料,因而笃这类材料的研究及其应用。本文以PMN为例,从动力学和热力学角度阐述了烧录石相的形成原因,并且介绍了几种去除烧录石相的方法。以求对含铅弛豫铁电材料中烧录石相的形成有一个较全面的认识。  相似文献   
5.
液相颗粒包裹法制备PbNb2O6微粉的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文介绍了一种采用液相颗粒包裹技术制备功能陶瓷微粉的新方法.这种方法有如下特点:(1)方法简便,不需要特殊的设备,便于扩大应用于工业生产;(2)粉体颗粒尺寸小而均匀;(3)粉体化学组成偏离小、且均匀;(4)适应性强,从双组分至十多组分的材料微粉制备均可采用;(5)特别适用于一些含有难溶组分、用液相法无法制备的材料.本工作采用这一方法,成功地制备出 PbNb_2O_6微粉,其平均腰粒尺寸<0.5μm,分散性及化学均匀性好,烧结活性高,烧结温度可以降低近100℃,瓷坯密度可达理论密度的96%以上.  相似文献   
6.
PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。  相似文献   
7.
本文研究了JG系列减感染料在卤化银感光乳剂中的应用。对JG系列减感染料减感性能进行了测定,发现加入了JG系列减感染料的乳剂具有较强的减感作用。测定了JG系列减感染料对卤化银乳剂照相性能的影响,结果表明JG系列减感染料对氯溴乳剂的照相性能无不良影响。  相似文献   
8.
合成了2,4-二氯-6-硫脲基-均三嗪钠盐及2-氯-4-三甲胺基-6-硫脲基-均三嗪内盐,并测定了这两种化合物的坚膜性能。  相似文献   
9.
本文研究了掺入适量的银对TlBaCaCuO系超导体超导性能的影响。实验结果表明,当银的掺入量不超过0.3mol时,有利于2223相的形成;在掺入0.3mol银的同时,适当提高组成中Tl或Cu的含量,可以降低烧结温度,并能获得T_(o0)=122K,T_(onset)=136K的TlBaCaCuO系超导体。  相似文献   
10.
研究了 SiO2-AlN复合材料介电性能随测试温度和测试频率变化的温度特性和频率特性 , 结果说明 :SiO2-AlN复合材料的极化机理表现为空间电荷极化。介电性能的温度特性说明 1350℃ 下热压烧结的 SiO2-AlN复合材料介电损耗随测试温度基本不变 ,表现了与 SiO2材料相一致的介 电稳定性 ,并基于 Debye弛豫方程作了分析。介电性能的频率特性说明极化弛豫普适关系适用于 SiO2-AlN复合材料。  相似文献   
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