Nc-ZnO可见光谱响应特性研究

利用分光光度法测定了纳米晶氧化锌对可见光的响应光谱和利用率,并利用量子理论对所得的数据进行分析讨论,结果显示,量子尺寸效应将会导致吸收光谱的蓝移和红移,在光谱波长320nm-1020nm范围内具有60%-100%的光催化效率。     

超导体的进展及其应用前景

目前超导体的研究,已进入了其发展的黄金时代,尤其近两年来的研究,已使超导转变温度由30K提高到120K,从此研究进入高温超导体的新阶段。高温超导体的研究,使超导材料的临界温度提高到液氮温度以上,由于液氮比液氦价格低得多,为超导体的推广应用创造了条件。超导体的发现和发展氦气曾经被认为是“永久气体”,然而本世纪初,终于被液化了,为在低温下进行物性研究创造了条件。1911年Onnes在液氦温度下对水银的电阻进行测量时发现,在4.2K时水银的电阻在百分之几度的温度范围内骤然降到一个很小的数值,以至于是当时难以准确测量的数值(10~(-5)Ω)。这表明在低温下某些固体电阻趋于零是物性的表现,于是Onnes于1913年首次称这种状态为超导态。超导态出现时的温度称临界温度Tc。许多超导体在零电阻到达之前随着温度的下降电阻逐渐减小,最后才出现零阻。所以常常还定义电阻发生明显下降的温度为转变温度。     

非晶Si的结构弛豫及其生长机理的动态研究

氢化非晶 Si 和微晶 Si 生长机理的研究,通常用静态法。我们首次用动态法对氢化非晶 Si 的结构弛豫进行研究,即氢化非晶 Si 向氢化微晶 Si 转变,及氢化微晶 Si 向多晶 Si 转变的动态研究。根据实验结果,讨论了非晶 Si 的生产机理,并对非晶 Si 和微晶 Si 微结构的可能模型提出看法。实验还表明,非晶 Si 具有卵石状微结构和柱状微结构,而微晶 Si 具有锥状微结构。     

a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成

利用透射电子显微镜(TEM)观测a-Si:H 薄膜在不同温度下生长的分形结构。实验方法为原位动态技术。对分形结构的TEM形貌像用Sandbox方法计算了其分形维数。450℃时,形成具有类似分叉状的分形结构,分形线数d_f=1.69;800℃时,形成岛状分形结构,分形维数d_f=1.76。实验结果表明,分形结构的形成与薄膜物性的变化相联系。文中还对分形结构与a =Si:H 薄膜晶化的关系进行了讨论。     

分形论在材料科学中的应用

介绍若干材料中的分形凝聚模型:扩散限制凝聚(DLA)模型、动力学集团凝聚(KCA)模型和扩散与化学限制凝聚(DCLA)模型;着重讨论了材料科学中分形研究的新进展:电化学分形生长、表面分形、高分子聚合物分形、准晶分形、薄膜中的分形凝聚、纳米半导体分形生长和断裂面的分形性质。     

后硅器时代

纳米科学技术在20世纪最后10年诞生并得到迅速发展.讨论和论述了新兴的纳米科学技术的进展,展望了包括量子功能器件、薄膜传感器、纳米显示、纳米材料、生物技术和原子工程等的应用前景,同时给出了某些实验结果.     

从电子的发现到信息技术的发展——纪念汤姆逊发现电子一百周年

1897年,J.J.Thomson发现电子,迄今已经100年。100年来,电子技术、信息技术迅速发展,对人类的生活模式和生产方式产生着巨大的影响。