不锈钢基Al2O3/SiC双层薄膜的制备和性能

用磁控溅射法在奥氏体不锈钢上分别制备了SiC单层膜和Al2O3/SiC双层膜,研究了溅射气压,溅 射功率以及退火温度对性能的影响.对比了二者的结构、硬度以及耐腐蚀性.结果表明,Al2O3缓冲层降低了SiC薄膜与奥氏体不锈钢基底的热失配和晶格失配,减少了因其而产生的缺陷,从而改善了奥氏体不锈钢上SiC薄膜的结晶质量.     

某历史建筑抗震加固方法应用研究

许多优秀的钢筋混凝土历史建筑年久失修,存在混凝土构件强度普遍偏低、混凝土开裂、钢筋锈蚀铁胀等现象,存在很多安全隐患。加之当初设计时,由于受到材料、技术等诸多因素的影响并未考虑抗震设防要求,对其进行修缮和改建已显得十分必要。本文以上海某历史建筑为例,综合应用锚杆静压桩技术、阻尼器减震技术、外包钢技术、加强梁柱节点和压力灌浆技术,使得结构刚度有较大幅度提高,抗震性能得到了极大改善,为历史建筑的修缮加固提供指导意义。     

超深基坑的钢筋混凝土支撑爆破拆除

介绍上海中心超深基坑支撑爆破拆除工程,基坑中间圆形内基坑是顺做法,其外围基坑是逆作法,内基坑中的环形支撑和地墙,随着外基坑挖泥从上向下分层进行爆破拆除。拆除开始时基坑内结构已出地表,外基坑表层已做好,整个爆破基本处于室内状态。基于上述工程特点,探讨如何优化设计参数,采用了安全性最好的塑料导爆管复式毫秒微差起爆系统,采取了有效的灾害控制措施,取得了满意的爆破效果,可为同类结构的城市控制爆破提供经验。     

基于SolidEdge的零件库开发技术研究

以三维CAD软件SolidEdge为设计平台,利用VB开发工具和Access数据库系统,对如何开发常用的三维零件库进行了技术上的探讨;并结合设计部门的个性化产品,开发出系列标准件和非标准件的零件库,应用于实际产品设计过程.不仅提高了产品设计的效率,而且为三维CAD技术在企业的应用探索了有效的解决方案.     

氧氩比对磁控溅射ZnO薄膜结构及光致发光性能的影响

采用射频反应磁控溅射法以不同的氧氩比在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,并对薄膜进行了退火处理;利用X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）分别对薄膜的物相组成和表面形貌进行了分析,利用荧光分光光度计对ZnO薄膜的室温光致发光（PL）谱进行了测试。结果表明：当氧氩气体积比为7∶5时,所制备的ZnO薄膜晶粒细小均匀,薄膜结晶质量最好;ZnO薄膜具有紫光、蓝光和绿光三个发光峰,随着氧氩比的增加,蓝光的发射强度增强,而紫光和绿光的发射强度先增强后减弱,当氧氩气体积比为7∶5时紫光和绿光的发射强度最强。     

TiO2缓冲层对掺钨氧化钒热敏智能玻璃的制备及性能影响

用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOx薄膜,然后在氮气中退火.用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析.结果表明:在溅射气压为1Pa,氧氩气体比例为1:4,Ti靶采用100 W直流电源时,所制备的TiO2缓冲层上的掺钨VOx薄膜致密,晶粒大小均匀.掺钨VOx薄膜样品的相变温度降低至35℃,可见光透过率较高,对红外光的屏蔽效果明显.     

钢筋混凝土地墙及支撑爆破拆除

介绍了上海中心基坑地墙及支撑爆破拆除工程,设计了爆破方案,采取了有效的安全防护措施,取得了满意的爆破效果,可为同类结构的城市控制爆破提供经验。     

基于SolidEdge的零件库开发技术研究

以三维CAD软件SolidEdge为设计平台,利用VB开发工具和Access数据库系统,对如何开发常用的三维零件库进行了技术上的探讨;并结合设计部门的个性化产品,开发出系列标准件和非标准件的零件库,应用于实际产品设计过程.不仅提高了产品设计的效率,而且为三维CAD技术在企业的应用探索了有效的解决方案.     

超高层劲性钢筋混凝土结构土建深化技术研究及应用

针对超高层建筑劲性结构梁柱节点钢筋密集、连接形式复杂等特点,对劲性柱与无梁楼板、劲性柱与混凝土梁、劲性柱与劲性梁、劲性梁上起柱、剪力墙与劲性连梁等节点运用BIM技术进行研究,形成了劲性结构土建深化技术体系,减少了施工作业难度,提高了施工作业效率和质量,保证了结构的安全性及可靠性。研究成果在工程实施过程中得到了成功应用,可为类似工程提供借鉴和参考。     

双靶反应磁控共溅射制备Al掺杂ZnO薄膜及其光电性能

采用双靶反应磁控共溅射法在Si（100）和载玻片衬底上制备了Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、荧光分光光度计、紫外可见光分光光度计,四探针测试仪等手段对薄膜进行表征,研究了Al掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响。结果显示,Al掺杂未改变ZnO的晶体结构,ZAO薄膜沿（002）晶面生长,具有单一的紫光发射峰,在可见光区透过率大于80%,当Zn靶和Al靶溅射功率分别为100 W和20W时,ZAO薄膜的电阻率为8.85×10-4W.cm,表明利用双靶反应磁控共溅射法制备的ZAO薄膜具有较好的光电性能。