工艺参数对磨削硅晶圆亚表面损伤裂纹的影响

为研究粗磨硅晶圆亚表面微裂纹,采用截面显微观测法,实验研究了粗磨工艺下砂轮进给速率、砂轮转速和硅晶圆转速对晶圆亚表面裂纹的影响.结果表明:磨削后晶圆亚表面斜线裂纹和折线裂纹占70%,中位裂纹、分叉裂纹和横向裂纹占30%,裂纹形状与工艺参数的关系不大.裂纹深度从晶圆圆心向外逐渐增大,〈110〉晶向裂纹深度稍大于〈100〉晶向.裂纹深度随砂轮进给速率增大单调增加,随砂轮转速增大单调减小.裂纹深度与晶圆转速之间的关系复杂,晶圆转速增大时,裂纹深度先是减小,然后增大.提出了磨削工艺参数的优化措施.     

切割进给系统的动态设计

本文主要分析了切片过程中振动的形成及其影响，并建立了数学模型，探讨了其动态性能，据此而提出了减轻振动提高切片质量的措施。     

外环式减薄进给系统研究

通过对减薄设备发展过程的研究,提出了一种由外环式磨削进给方式组成的外环式减薄系统。该系统可实现在减薄过程中对芯片磨削与研磨的最佳组合。     

MIBK萃取法测定高纯硝酸银中的微量杂质铜和铁

介绍了用火焰原子吸收法测定高纯硝酸银中微量杂质铜和铁的新方法。以ＮＨ４Ｃｌ为沉淀剂，将ＡｇＮＯ３中的主体银以ＡｇＣｌ的形式除去之后，存在于滤液中的Ｃｕ２＋和Ｆｅ３＋用ＡＰＤＣ螯合，再用ＭＩＢＫ萃取。萃取液中Ｃｕ２＋和Ｆｅ３＋的浓度比原有的方法提高了１０倍，回收率大于９４％。     

半导体材料切割过程中的几点静力学特性

本文从半导体材料切割过程中刀具刃口的受力特性出发，建立了力学模型，推导出了切片外形特性方程。分析了切割过程中刃口的运行轨迹及加速度曲线。文中结论对于综合控制切片TTV值及切片微观质量具有指导意义。同时，根据切割过程中的本质关系提出了切割设备及其自动跟踪校正系统的发展方向。     

半导体材料切割过程中的几点静力学特性

本文从半导体材料切割过程中刀具刃口的受力特性出发，建立了力学模型，推导出了切片外形特性方程。分析了切割过程中刃口的运行轨迹及加速度曲线。文中结论对于综合控制切片TTV值及切片微观质量具有指导意义。同时，根据切割过程中的本质关系提出了切割设备及其自动跟踪校正系统的发展方向。