N2在Pd中的中温扩散及其对物性的影响

用四引线原位电阻法研究了Ｐｄ线（直径２５ｕｍ）在３００℃左右流敢氛中退火时Ｎ２在Ｐｄ丝中的扩散,扩散过程符合一维无限长圆柱的体扩散模型,结果不同于传统认为的Ｐｄ在１４００℃以下不吸Ｎ２的结论,拉伸实验证明,Ｎ２的渗入改善了Ｐｄ丝的力学性能。     

Ag—Pb和Ni对元铅钎料焊点形状、微结构及剪切强度的影响

研究了器件端头两种不同的金属化层（Ag-Pd和Ni/Ag-Pd）对Sn-Sb钎料表面粘装焊点的形状、微结构及剪切强度的影响,并与常用的Sn-Pb-Ag钎料焊点进行了比较,结果表明：Sn-Sb/Ag-Pd焊点由于Sn-Sb钎料与Ag-Pd／陶瓷界面;Sn-Sb/Ni/Ag-Pd焊点中Ni有效地阻止了Ag-Pd在钎料中的溶解,焊点形状理想,强度很高;而对于Sn-Pb-Ag钎料、器件金属化层对焊点形状和强度影响不大,剪切测试后,断裂发生在钎料内部。     

有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术，采用不同的沉积条件(20—180℃的基板温度范围和10—30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜，研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加，氮化硅薄膜的密度、折射率和Si／N比相应增加，而沉积速率和H含量相应减少；随着射频功率的增加，氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si／N比相应增加，而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃，所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件（OLED)的封装。     

Ag-Pd和Ni对无铅钎料焊点形状、微结构及剪切强度的影响

研究了器件端头两种不同的金属化层(Ag-Pd和Ni/Ag-Pd)对Sn-Sb钎料表面贴装焊点的形状、微结构及剪切强度的影响,并与常用的Sn-Pb-Ag钎料焊点进行了比较结果表明:Sn-Sb/Ag-Pd焊点由于Sn-Sb钎料与Ag-Pd层在回流焊接过程中的剧烈反应导致钎料在器件端头区域集中而不在Cu焊盘上充分铺展,焊点强度低,断裂发生在原Ag-Pd/陶瓷界面;Sn-Sb/Ni/Ag-Pd焊点中Ni有效地阻止了Ag-Pd在钎料中的溶解,焊点形状理想,强度很高;而对于Sn-Pb Ag钎料,器件金属化层对焊点形状和强度影响不大,剪切测试后,断裂发生在钎料内部     

时效对无铅焊料Ni-P/Cu焊点的影响

研究了150℃等温时效为62Sn36Bp2Ag/Ni-P/Cu及共晶SnAg/Ni-P/Cu表面贴装焊点微结构及塑切强度的影响,结果表明,在钎料与Ni-P间的界面存在Ni3Sn4金属间化合物层,其厚度随时效时间增加,Ni-P层的厚度减小,时效后,SnPbAg,SnAg焊点的剪切强度下降,对于SnAg焊点,时效250h后其剪切强度剧烈下降,断裂发生在Ni-P/Cu界面上,在长时间时效后焊点一侧的Ni-P层中P的含量较主可能是Ni-P/Cu结合强度变差的主要原因,SnPbAg焊点保持着较高的剪切强度。     

原位电阻法研究高温器件焊面多层金属膜间的扩散

采用原位电阻法测量了高温器件焊面多层金属膜Ａｕ／Ｔｉ，Ｐｄ／Ｔｉ在３００℃不同气氛下电阻随退火时间的变化，结果表明，３００℃退火时Ａｕ膜中存在Ｔｉ的扩散导致电阻显著增加，但电阻随时间变化与气氛的关系不大，电阻变化的规律基本符合一维有限厚无限大平面体扩散模型，空气中退火时电阻增加小于Ａｒ气氛下退火电阻增加，可用Ａｕ膜中Ｔｉ扩散速率的差异来解释，Ｐｄ／Ｔｉ膜在Ａｒ气氛这火时电阻基本无变化，但空气中退火     

等温时效对SnAg/Cu表面贴装焊点微结构及剪切强度的影响

研究了等温时效对ＳｎＡｇ／Ｃｕ表面贴装焊点微结构,Ｓｎ－Ｃｕ金属间化合物生长及其剪切强度的影响,并与常用的６２Ｓｎ３６Ｐｂ２Ａｇ／Ｃｕ焊点进行了比较,结果表明,在时效过程中,ＳｎＡｇ钎料以较小的反应速率与Ｃｕ发生反应,ＳｎＡｇ烛 显示了较强的剪切强度并且其受时效的影响较ＳｎＰｂＡｇ焊点要小。     

交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究

用ＰＥＣＶＤ方法制备氮化硅薄膜,研究了射频频率对氮化硅薄膜的沉积和性质的影响。结果表明,在低频下（１００ＫＨｚ）制备的氮化硅薄膜密度较大,具有８ｘ１０９Ｐａ左右的压应力和较小的刻蚀速率;而高频（１３．５６ＭＨｚ）沉积的氮化硅薄膜密度较小,具体约２ｘ１０９Ｐａ的张应力,刻蚀速率较大。红外光谱表明,薄膜性质同薄膜中的氢原子成键情况有关。实验中利用高、低频交替沉积的方法,成功地制备了低应力（１０７Ｐａ）氮化硅薄膜。当加热到５００Ｃ时,应力较大的氮化硅薄膜会发生开裂（张应力）或拱起（压应力）。低应力的氮化硅薄膜能够承受７００Ｃ的温度,温度更高时,薄膜的完整性因氢溢出而破坏。     

SnAgCu表面贴装焊点在时效和热循环过程中的组织及剪切强度变化

研究了SnAgCu/Cu和SnAgCu/Ni-P/Cu表面贴装焊点在时效和热循环过程中的微结构及剪切强度的变化,结果表明,SnAgCu与Cu的反应速率大于其与Ni-P的反应速率,经长时间时效后,SnAgCu/Cu焊点中SnAgCu与Cu的界面成为弱区,nAgCu/Ni-P/Cu焊点的剪切断裂则发生在Ｎi-P与Ｃu的界面,热循环过程中两种焊点均产生裂纹且强度下降,长时间热循环后Ｎi-P与Cu分层脱开,ＳnAgCu/Ni-P焊点失去强度。     

电子封装中氮化硅/硅酮双层薄膜的水汽防护研究

测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线。应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线,得到了水汽在各种防护条件下的扩散系数,进而计算出水汽扩散的激活能,定量比较了各种防护方法的效果。实验和模拟结果表明：硅酮加氮化硅薄膜的双层防护可以显著改善电子模块的防水性能。